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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRFSL4410ZPBF
Infineon Technologies
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRFSL4410ZPBF - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IRFSL4410ZPBF
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IRFSL4410ZPBF
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 100V 97A TO262
Description détaillée
Emballage
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Fiche technique
IRFSL4410ZPBF.pdf
État RoHS
En stock: 24675

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRFSL4410ZPBF
Infineon Technologies - IRFSL4410ZPBF Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IRFSL4410ZPBF

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 150µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-262  
Séries HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9mOhm @ 58A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 230W (Tc)  
Package / Boîte TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 4820 pF @ 50 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 120 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 100 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 97A (Tc)  
Numéro de produit de base IRFSL4410  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IRFSL4410ZPBF

Attributs du produit IRFSL4410ZPBF IRFSL4610PBF IRFSL7434PBF IRFSL5615PBF
Modèle de produit IRFSL4410ZPBF IRFSL4610PBF IRFSL7434PBF IRFSL5615PBF
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies International Rectifier Infineon Technologies
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9mOhm @ 58A, 10V 14mOhm @ 44A, 10V 1.6mOhm @ 100A, 10V 42mOhm @ 21A, 10V
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Fonction FET - - - -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 6V, 10V 10V
Emballer Tube Tube Bulk Tube
Package composant fournisseur TO-262 TO-262 TO-262 TO-262
Dissipation de puissance (max) 230W (Tc) 190W (Tc) 294W (Tc) 144W (Tc)
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Séries HEXFET® HEXFET® HEXFET®, StrongIRFET™ -
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 97A (Tc) 73A (Tc) 195A (Tc) 33A (Tc)
Tension drain-source (Vdss) 100 V 100 V 40 V 150 V
Package / Boîte TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Numéro de produit de base IRFSL4410 - - IRFSL5615
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 150µA 4V @ 100µA 3.9V @ 250µA 5V @ 100µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 120 nC @ 10 V 140 nC @ 10 V 324 nC @ 10 V 40 nC @ 10 V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 4820 pF @ 50 V 3550 pF @ 50 V 10820 pF @ 25 V 1750 pF @ 50 V

Fiche technique IRFSL4410ZPBF PDF

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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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