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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRFSL4127PBF
Infineon Technologies
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRFSL4127PBF - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IRFSL4127PBF
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IRFSL4127PBF
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 200V 72A TO262
Description détaillée
Emballage
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Fiche technique
IRFSL4127PBF.pdf
État RoHS
En stock: 14320

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRFSL4127PBF
Infineon Technologies - IRFSL4127PBF Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IRFSL4127PBF

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-262  
Séries HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 22mOhm @ 44A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 375W (Tc)  
Package / Boîte TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 5380 pF @ 50 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 150 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension drain-source (Vdss) 200 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 72A (Tc)  
Numéro de produit de base IRFSL4127  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IRFSL4127PBF

Attributs du produit IRFSL4127PBF IRFSL4310PBF IRFSL4310ZPBF IRFSL3607PBF
Modèle de produit IRFSL4127PBF IRFSL4310PBF IRFSL4310ZPBF IRFSL3607PBF
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies International Rectifier International Rectifier
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 72A (Tc) 130A (Tc) 120A (Tc) 80A (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Package composant fournisseur TO-262 TO-262 TO-262 TO-262
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Tension drain-source (Vdss) 200 V 100 V 100 V 75 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 22mOhm @ 44A, 10V 7mOhm @ 75A, 10V 6mOhm @ 75A, 10V 9mOhm @ 46A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 150µA 4V @ 100µA
Emballer Tube Tube Bulk Bulk
Dissipation de puissance (max) 375W (Tc) 300W (Tc) 250W (Tc) 140W (Tc)
Package / Boîte TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Fonction FET - - - -
Numéro de produit de base IRFSL4127 - - -
Séries HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 5380 pF @ 50 V 7670 pF @ 50 V 6860 pF @ 50 V 3070 pF @ 50 V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 150 nC @ 10 V 250 nC @ 10 V 170 nC @ 10 V 84 nC @ 10 V

Fiche technique IRFSL4127PBF PDF

Téléchargez IRFSL4127PBF PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour IRFSL4127PBF - Infineon Technologies.

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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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