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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRFSL3306PBF
Infineon Technologies
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRFSL3306PBF - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IRFSL3306PBF
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IRFSL3306PBF
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 60V 120A TO262
Description détaillée
Emballage
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Fiche technique
IRFSL3306PBF.pdf
État RoHS
En stock: 31746

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRFSL3306PBF
Infineon Technologies - IRFSL3306PBF Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IRFSL3306PBF

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 150µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-262  
Séries HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.2mOhm @ 75A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 230W (Tc)  
Package / Boîte TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 4520 pF @ 50 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 120 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 60 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 120A (Tc)  
Numéro de produit de base IRFSL3306  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IRFSL3306PBF

Attributs du produit IRFSL3306PBF IRFSL23N20D102P IRFSL3607PBF IRFSL4228PBF
Modèle de produit IRFSL3306PBF IRFSL23N20D102P IRFSL3607PBF IRFSL4228PBF
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies International Rectifier Infineon Technologies
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Séries HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Package composant fournisseur TO-262 TO-262 TO-262 TO-262
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 120A (Tc) 24A (Tc) 80A (Tc) 83A (Tc)
Fonction FET - - - -
Tension drain-source (Vdss) 60 V 200 V 75 V 150 V
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -40°C ~ 175°C (TJ)
Vgs (Max) ±20V ±30V ±20V ±30V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 150µA 5.5V @ 250µA 4V @ 100µA 5V @ 250µA
Dissipation de puissance (max) 230W (Tc) 3.8W (Ta), 170W (Tc) 140W (Tc) 330W (Tc)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.2mOhm @ 75A, 10V 100mOhm @ 14A, 10V 9mOhm @ 46A, 10V 15mOhm @ 33A, 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 4520 pF @ 50 V 1960 pF @ 25 V 3070 pF @ 50 V 4530 pF @ 25 V
Emballer Tube Tube Bulk Tube
Package / Boîte TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Numéro de produit de base IRFSL3306 - - -
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 120 nC @ 10 V 86 nC @ 10 V 84 nC @ 10 V 107 nC @ 10 V

Fiche technique IRFSL3306PBF PDF

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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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