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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRFSL23N20D102P
Infineon Technologies
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRFSL23N20D102P - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IRFSL23N20D102P
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IRFSL23N20D102P
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 200V 24A TO262
Description détaillée
Emballage
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Fiche technique
IRFSL23N20D102P.pdf
En stock: 3950

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRFSL23N20D102P
Infineon Technologies - IRFSL23N20D102P Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IRFSL23N20D102P

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 5.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-262  
Séries HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 100mOhm @ 14A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 3.8W (Ta), 170W (Tc)  
Package / Boîte TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1960 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 86 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 200 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 24A (Tc)  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IRFSL23N20D102P

Attributs du produit IRFSL23N20D102P IRFS840B IRFSL3107PBF IRFSL11N50APBF
Modèle de produit IRFSL23N20D102P IRFS840B IRFSL3107PBF IRFSL11N50APBF
Fabricant Infineon Technologies Fairchild Semiconductor Infineon Technologies Vishay Siliconix
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 86 nC @ 10 V 53 nC @ 10 V 240 nC @ 10 V 51 nC @ 10 V
Vgs (th) (Max) @ Id 5.5V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Package / Boîte TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-220-3 Full Pack TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Tension drain-source (Vdss) 200 V 500 V 75 V 500 V
Fonction FET - - - -
Dissipation de puissance (max) 3.8W (Ta), 170W (Tc) 44W (Tc) 370W (Tc) 190W (Tc)
Vgs (Max) ±30V ±30V ±20V ±30V
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Package composant fournisseur TO-262 TO-220F TO-262 TO-262-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs 100mOhm @ 14A, 10V 800mOhm @ 4A, 10V 3mOhm @ 140A, 10V 550mOhm @ 6.6A, 10V
Séries HEXFET® - HEXFET® -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1960 pF @ 25 V 1800 pF @ 25 V 9370 pF @ 50 V 1426 pF @ 25 V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Emballer Tube Bulk Tube Tube
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 24A (Tc) 8A (Tc) 195A (Tc) 11A (Tc)

Fiche technique IRFSL23N20D102P PDF

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Autres documents connexes
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Amérique États-Unis 5
Brésil 7
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Italie 5
Océanie Australie 6
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Asie Inde 4
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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