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IRFS3207ZPBF Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRFS3207ZPBF - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IRFS3207ZPBF
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IRFS3207ZPBF
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK
Description détaillée
Emballage
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Fiche technique
IRFS3207ZPBF.pdf
État RoHS
En stock: 4420

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRFS3207ZPBF
Infineon Technologies - IRFS3207ZPBF Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IRFS3207ZPBF

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 150µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur D²PAK (TO-263)  
Séries HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.1mOhm @ 75A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 300W (Tc)  
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 6920 pF @ 50 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 170 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 75 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 120A (Tc)  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IRFS3207ZPBF

Attributs du produit IRFS3207ZPBF IRFS3207TRLPBF IRFS3306TRLPBF IRFS3307
Modèle de produit IRFS3207ZPBF IRFS3207TRLPBF IRFS3306TRLPBF IRFS3307
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 170 nC @ 10 V 260 nC @ 10 V 120 nC @ 10 V 180 nC @ 10 V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 6920 pF @ 50 V 7600 pF @ 50 V 4520 pF @ 50 V 5150 pF @ 50 V
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Séries HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 150µA 4V @ 250µA 4V @ 150µA 4V @ 150µA
Package composant fournisseur D²PAK (TO-263) D2PAK D2PAK D2PAK
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Emballer Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube
Tension drain-source (Vdss) 75 V 75 V 60 V 75 V
Dissipation de puissance (max) 300W (Tc) 300W (Tc) 230W (Tc) 250W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.1mOhm @ 75A, 10V 4.5mOhm @ 75A, 10V 4.2mOhm @ 75A, 10V 6.3mOhm @ 75A, 10V
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 120A (Tc) 170A (Tc) 120A (Tc) 130A (Tc)
Fonction FET - - - -

Fiche technique IRFS3207ZPBF PDF

Téléchargez IRFS3207ZPBF PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour IRFS3207ZPBF - Infineon Technologies.

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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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