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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRFS3206TRRPBF
IRFS3206TRRPBF Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRFS3206TRRPBF - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IRFS3206TRRPBF
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IRFS3206TRRPBF
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
Description détaillée
Emballage
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Fiche technique
IRFS3206TRRPBF.pdf
État RoHS
En stock: 18144

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRFS3206TRRPBF
Infineon Technologies - IRFS3206TRRPBF Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IRFS3206TRRPBF

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 150µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur D2PAK  
Séries HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3mOhm @ 75A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 300W (Tc)  
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 6540 pF @ 50 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 170 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 60 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 120A (Tc)  
Numéro de produit de base IRFS3206  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IRFS3206TRRPBF

Attributs du produit IRFS3206TRRPBF IRFS3207ZTRRPBF IRFS3207TRLPBF IRFS3206PBF
Modèle de produit IRFS3206TRRPBF IRFS3207ZTRRPBF IRFS3207TRLPBF IRFS3206PBF
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Package composant fournisseur D2PAK D²PAK (TO-263) D2PAK D2PAK
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 150µA 4V @ 150µA 4V @ 250µA 4V @ 150µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3mOhm @ 75A, 10V 4.1mOhm @ 75A, 10V 4.5mOhm @ 75A, 10V 3mOhm @ 75A, 10V
Dissipation de puissance (max) 300W (Tc) 300W (Tc) 300W (Tc) 300W (Tc)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 6540 pF @ 50 V 6920 pF @ 50 V 7600 pF @ 50 V 6540 pF @ 50 V
Tension drain-source (Vdss) 60 V 75 V 75 V 60 V
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 170 nC @ 10 V 170 nC @ 10 V 260 nC @ 10 V 170 nC @ 10 V
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 120A (Tc) 120A (Tc) 170A (Tc) 120A (Tc)
Fonction FET - - - -
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Séries HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Numéro de produit de base IRFS3206 IRFS3207 IRFS3207 -
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Fiche technique IRFS3206TRRPBF PDF

Téléchargez IRFS3206TRRPBF PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour IRFS3206TRRPBF - Infineon Technologies.

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Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
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Moyen-Orient Israël 6
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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