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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRFI510GPBF
IRFI510GPBF Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRFI510GPBF - Vishay Siliconix

Fabricant Modèle de produit
IRFI510GPBF
Fabricant
Vishay / Siliconix
Allelco Modèle de produit
32D-IRFI510GPBF
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 100V 4.5A TO220-3
Description détaillée
Emballage
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Fiche technique
IRFI510GPBF.pdf
État RoHS
En stock: 52890

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRFI510GPBF
Vishay Siliconix - IRFI510GPBF Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Vishay Siliconix - IRFI510GPBF

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Vishay / Siliconix  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-220-3  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 540mOhm @ 2.7A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 27W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 180 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 8.3 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 100 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 4.5A (Tc)  
Numéro de produit de base IRFI510  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Vishay Siliconix IRFI510GPBF

Attributs du produit IRFI510GPBF IRFI510G IRFI4905 IRFI520G
Modèle de produit IRFI510GPBF IRFI510G IRFI4905 IRFI520G
Fabricant Vishay Siliconix Vishay Siliconix Infineon Technologies Vishay Siliconix
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Package / Boîte TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Package composant fournisseur TO-220-3 TO-220-3 TO-220AB Full-Pak TO-220-3
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Emballer Tube Tube Tube Tube
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 180 pF @ 25 V 180 pF @ 25 V 3400 pF @ 25 V 360 pF @ 25 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 540mOhm @ 2.7A, 10V 540mOhm @ 2.7A, 10V 20mOhm @ 22A, 10V 270mOhm @ 4.3A, 10V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 4.5A (Tc) 4.5A (Tc) 41A (Tc) 7.2A (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) - -55°C ~ 175°C (TJ)
Fonction FET - - - -
Dissipation de puissance (max) 27W (Tc) 27W (Tc) 63W (Tc) 37W (Tc)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 8.3 nC @ 10 V 8.3 nC @ 10 V 180 nC @ 10 V 16 nC @ 10 V
Numéro de produit de base IRFI510 IRFI510 - IRFI520
type de FET N-Channel N-Channel P-Channel N-Channel
Tension drain-source (Vdss) 100 V 100 V 55 V 100 V
Séries - - HEXFET® -

Fiche technique IRFI510GPBF PDF

Téléchargez IRFI510GPBF PDF DataSheets et Documentation Vishay Siliconix pour IRFI510GPBF - Vishay Siliconix.

Conception / spécification PCN
Advisory 20/Mar/2019.pdf
Assemblage / origine PCN
Mult Devices 18/Jul/2017.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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