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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRFH5006TRPBF
International Rectifier
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.
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IRFH5006TRPBF - International Rectifier

Fabricant Modèle de produit
IRFH5006TRPBF
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IRFH5006TRPBF
Modèle ECAD
Description des pièces
IRFH5006 - 12V-300V N-CHANNEL PO
Emballage
8-PowerTDFN
Fiche technique
IRFH5006TRPBF.pdf
Notre certification
En stock: 5250

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Quantité
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Notre certification

Spécifications

Spécifications techniques IRFH5006TRPBF
International Rectifier - IRFH5006TRPBF Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à International Rectifier - IRFH5006TRPBF

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 150µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 8-PQFN (5x6)  
Séries HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.1mOhm @ 50A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 3.6W (Ta), 156W (Tc)  
Package / Boîte 8-PowerTDFN  
Emballer Bulk  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 4175 pF @ 30 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 100 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 60 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 21A (Ta), 100A (Tc)  

Classifications environnementales et d'exportation

ATTRIBUT LA DESCRIPTION
État RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
Statut de portée
ECCN EAR99
HTSUS

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de International Rectifier IRFH5006TRPBF

Attributs du produit IRFH5006TRPBF IRFH5010TRPBF IRFH5007TR2PBF IRFH5010TR2PBF
Modèle de produit IRFH5006TRPBF IRFH5010TRPBF IRFH5007TR2PBF IRFH5010TR2PBF
Fabricant International Rectifier Infineon Technologies International Rectifier Infineon Technologies
Package / Boîte 8-PowerTDFN 8-PowerVDFN 8-PowerTDFN 8-PowerVDFN
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 100 nC @ 10 V 98 nC @ 10 V 98 nC @ 10 V 98 nC @ 10 V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) - -
Séries HEXFET® HEXFET® HEXFET® -
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.1mOhm @ 50A, 10V 9mOhm @ 50A, 10V 5.9mOhm @ 50A, 10V 9mOhm @ 50A, 10V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V - -
Emballer Bulk Tape & Reel (TR) Bulk Cut Tape (CT)
Vgs (Max) ±20V ±20V - -
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 150µA 4V @ 150µA 4V @ 150µA 4V @ 150µA
Tension drain-source (Vdss) 60 V 100 V 75 V 100 V
Dissipation de puissance (max) 3.6W (Ta), 156W (Tc) 3.6W (Ta), 250W (Tc) - -
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur 8-PQFN (5x6) 8-PQFN (5x6) 8-PQFN (5x6) 8-PQFN (5x6)
Fonction FET - - - -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 4175 pF @ 30 V 4340 pF @ 25 V 4290 pF @ 25 V 4340 pF @ 25 V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 21A (Ta), 100A (Tc) 13A (Ta), 100A (Tc) 17A (Ta), 100A (Tc) 13A (Ta), 100A (Tc)

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Note:
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