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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRFH5015TR2PBF
Infineon Technologies
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRFH5015TR2PBF - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IRFH5015TR2PBF
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IRFH5015TR2PBF
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 150V 10A 8VQFN
Description détaillée
Emballage
8-PowerVDFN
Fiche technique
IRFH5015TR2PBF.pdf
En stock: 4690

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRFH5015TR2PBF
Infineon Technologies - IRFH5015TR2PBF Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IRFH5015TR2PBF

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 150µA  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 8-PQFN (5x6)  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 31mOhm @ 34A, 10V  
Package / Boîte 8-PowerVDFN  
Emballer Cut Tape (CT)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2300 pF @ 50 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 50 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension drain-source (Vdss) 150 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 10A (Ta), 56A (Tc)  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IRFH5015TR2PBF

Attributs du produit IRFH5015TR2PBF IRFH5007TRPBF IRFH5020TRPBF IRFH5015TRPBF
Modèle de produit IRFH5015TR2PBF IRFH5007TRPBF IRFH5020TRPBF IRFH5015TRPBF
Fabricant Infineon Technologies International Rectifier Infineon Technologies Infineon Technologies
Package / Boîte 8-PowerVDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 150µA 4V @ 150µA 5V @ 150µA 5V @ 150µA
Fonction FET - - - -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2300 pF @ 50 V 4290 pF @ 25 V 2290 pF @ 100 V 2300 pF @ 50 V
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Package composant fournisseur 8-PQFN (5x6) 8-PQFN (5x6) 8-PQFN (5x6) 8-PQFN (5x6)
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Tension drain-source (Vdss) 150 V 75 V 200 V 150 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 31mOhm @ 34A, 10V 5.9mOhm @ 50A, 10V 55mOhm @ 7.5A, 10V 31mOhm @ 34A, 10V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 50 nC @ 10 V 98 nC @ 10 V 54 nC @ 10 V 50 nC @ 10 V
Emballer Cut Tape (CT) Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Séries - HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 10A (Ta), 56A (Tc) 17A (Ta), 100A (Tc) 5.1A (Ta) 10A (Ta), 56A (Tc)
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)

Fiche technique IRFH5015TR2PBF PDF

Téléchargez IRFH5015TR2PBF PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour IRFH5015TR2PBF - Infineon Technologies.

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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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