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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - tableauxIRFH4255DTRPBF
Infineon Technologies
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRFH4255DTRPBF - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IRFH4255DTRPBF
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IRFH4255DTRPBF
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET 2N-CH 25V 64A/105A PQFN
Description détaillée
Emballage
8-PowerVDFN
Fiche technique
IRFH4255DTRPBF.pdf
En stock: 4930

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRFH4255DTRPBF
Infineon Technologies - IRFH4255DTRPBF Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IRFH4255DTRPBF

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 2.1V @ 35µA  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur PQFN (5x6)  
Séries HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.2mOhm @ 30A, 10V  
Puissance - Max 31W, 38W  
Package / Boîte 8-PowerVDFN  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1314pF @ 13V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 15nC @ 4.5V  
Fonction FET Logic Level Gate  
Tension drain-source (Vdss) 25V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 64A, 105A  
Configuration 2 N-Channel (Dual)  
Numéro de produit de base IRFH4255  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IRFH4255DTRPBF

Attributs du produit IRFH4255DTRPBF IRFH4257DTRPBF IRFH4251DTRPBF IRFH4253DTRPBF
Modèle de produit IRFH4255DTRPBF IRFH4257DTRPBF IRFH4251DTRPBF IRFH4253DTRPBF
Fabricant Infineon Technologies International Rectifier Infineon Technologies Infineon Technologies
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Vgs (th) (Max) @ Id 2.1V @ 35µA 2.1V @ 35µA 2.1V @ 35µA 2.1V @ 35µA
Puissance - Max 31W, 38W 25W, 28W 31W, 63W 31W, 50W
Emballer Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Fonction FET Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 64A, 105A 25A 64A, 188A 64A, 145A
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 15nC @ 4.5V 15nC @ 4.5V 15nC @ 4.5V 15nC @ 4.5V
Tension drain-source (Vdss) 25V 25V 25V 25V
Package composant fournisseur PQFN (5x6) Dual PQFN (5x4) PG-TISON-8 PQFN (5x6)
Numéro de produit de base IRFH4255 IRFH4257 IRFH4251 IRFH4253
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1314pF @ 13V 1321pF @ 13V 1314pF @ 13V 1314pF @ 13V
Package / Boîte 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN
Séries HEXFET® HEXFET® FASTIRFET™ HEXFET®
Configuration 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual), Schottky 2 N-Channel (Dual)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.2mOhm @ 30A, 10V 3.4mOhm @ 25A, 10V 3.2mOhm @ 30A, 10V 3.2mOhm @ 30A, 10V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)

Fiche technique IRFH4255DTRPBF PDF

Téléchargez IRFH4255DTRPBF PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour IRFH4255DTRPBF - Infineon Technologies.

Emballage PCN
Package Drawing Update 19/Aug/2015.pdf Mult Dev Lot No Format Chg 6/Apr/2018.pdf
Informations environnementales
PQFN 5x6 RoHS Compliance.pdf
PCN Obsolescence / EOL
Multi Mosfet EOL 2/Mar/2016.pdf
Assemblage / origine PCN
Assembly Site Addition 13/Mar/2015.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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