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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - tableauxIRFH4257DTRPBF
International Rectifier
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRFH4257DTRPBF - International Rectifier

Fabricant Modèle de produit
IRFH4257DTRPBF
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IRFH4257DTRPBF
Modèle ECAD
Description des pièces
IRFH4257 - HEXFET POWER MOSFET
Description détaillée
Emballage
8-PowerVDFN
Fiche technique
IRFH4257DTRPBF.pdf
En stock: 41240

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRFH4257DTRPBF
International Rectifier - IRFH4257DTRPBF Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à International Rectifier - IRFH4257DTRPBF

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 2.1V @ 35µA  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur Dual PQFN (5x4)  
Séries HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.4mOhm @ 25A, 10V  
Puissance - Max 25W, 28W  
Package / Boîte 8-PowerVDFN  
Emballer Bulk  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1321pF @ 13V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 15nC @ 4.5V  
Fonction FET Logic Level Gate  
Tension drain-source (Vdss) 25V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 25A  
Configuration 2 N-Channel (Dual)  
Numéro de produit de base IRFH4257  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de International Rectifier IRFH4257DTRPBF

Attributs du produit IRFH4257DTRPBF IRFH4255DTRPBF IRFH4251DTRPBF IRFH4253DTRPBF
Modèle de produit IRFH4257DTRPBF IRFH4255DTRPBF IRFH4251DTRPBF IRFH4253DTRPBF
Fabricant International Rectifier Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1321pF @ 13V 1314pF @ 13V 1314pF @ 13V 1314pF @ 13V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (th) (Max) @ Id 2.1V @ 35µA 2.1V @ 35µA 2.1V @ 35µA 2.1V @ 35µA
Numéro de produit de base IRFH4257 IRFH4255 IRFH4251 IRFH4253
Emballer Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Configuration 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual), Schottky 2 N-Channel (Dual)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Séries HEXFET® HEXFET® FASTIRFET™ HEXFET®
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 25A 64A, 105A 64A, 188A 64A, 145A
Fonction FET Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate
Tension drain-source (Vdss) 25V 25V 25V 25V
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.4mOhm @ 25A, 10V 3.2mOhm @ 30A, 10V 3.2mOhm @ 30A, 10V 3.2mOhm @ 30A, 10V
Package / Boîte 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN
Puissance - Max 25W, 28W 31W, 38W 31W, 63W 31W, 50W
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 15nC @ 4.5V 15nC @ 4.5V 15nC @ 4.5V 15nC @ 4.5V
Package composant fournisseur Dual PQFN (5x4) PQFN (5x6) PG-TISON-8 PQFN (5x6)

Mode de transport

Délai de livraison

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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