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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRF7601TR
Infineon Technologies
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRF7601TR - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IRF7601TR
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IRF7601TR
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 20V 5.7A MICRO8
Description détaillée
Emballage
8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Fiche technique
IRF7601TR.pdf
En stock: 4630

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRF7601TR
Infineon Technologies - IRF7601TR Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IRF7601TR

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 700mV @ 250µA (Min)  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur Micro8™  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 35mOhm @ 3.8A, 4.5V  
Package / Boîte 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)  
Emballer Cut Tape (CT)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 650 pF @ 15 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 22 nC @ 4.5 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension drain-source (Vdss) 20 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 5.7A (Ta)  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IRF7601TR

Attributs du produit IRF7601TR IRF7603TR IRF7604TR IRF7601TRPBF
Modèle de produit IRF7601TR IRF7603TR IRF7604TR IRF7601TRPBF
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 650 pF @ 15 V 520 pF @ 25 V 590 pF @ 15 V 650 pF @ 15 V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Fonction FET - - - -
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 5.7A (Ta) 5.6A (Ta) 3.6A (Ta) 5.7A (Ta)
Vgs (th) (Max) @ Id 700mV @ 250µA (Min) 1V @ 250µA 700mV @ 250µA (Min) 700mV @ 250µA (Min)
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 22 nC @ 4.5 V 27 nC @ 10 V 20 nC @ 4.5 V 22 nC @ 4.5 V
Package composant fournisseur Micro8™ Micro8™ Micro8™ Micro8™
Package / Boîte 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 35mOhm @ 3.8A, 4.5V 35mOhm @ 3.7A, 10V 90mOhm @ 2.4A, 4.5V 35mOhm @ 3.8A, 4.5V
Séries - - - HEXFET®
Tension drain-source (Vdss) 20 V 30 V 20 V 20 V
Emballer Cut Tape (CT) Cut Tape (CT) Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR)
type de FET N-Channel N-Channel P-Channel N-Channel

Fiche technique IRF7601TR PDF

Téléchargez IRF7601TR PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour IRF7601TR - Infineon Technologies.

Autres documents connexes
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PCN Obsolescence / EOL
HiRel EOL 28/Jun/2015.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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