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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRF7534D1TR
IRF7534D1TR Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRF7534D1TR - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IRF7534D1TR
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IRF7534D1TR
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET P-CH 20V 4.3A MICRO8
Description détaillée
Emballage
8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Fiche technique
IRF7534D1.pdf
En stock: 3660

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRF7534D1TR
Infineon Technologies - IRF7534D1TR Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IRF7534D1TR

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±12V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur Micro8™  
Séries FETKY™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 55mOhm @ 4.3A, 4.5V  
Dissipation de puissance (max) 1.25W (Ta)  
Package / Boîte 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1066 pF @ 10 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 15 nC @ 5 V  
type de FET P-Channel  
Fonction FET Schottky Diode (Isolated)  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 2.5V, 4.5V  
Tension drain-source (Vdss) 20 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 4.3A (Ta)  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IRF7534D1TR

Attributs du produit IRF7534D1TR IRF7580MTRPBF IRF7601TR IRF7526D1TRPBF
Modèle de produit IRF7534D1TR IRF7580MTRPBF IRF7601TR IRF7526D1TRPBF
Fabricant Infineon Technologies International Rectifier Infineon Technologies Infineon Technologies
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Tension drain-source (Vdss) 20 V 60 V 20 V 30 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1066 pF @ 10 V 6510 pF @ 25 V 650 pF @ 15 V 180 pF @ 25 V
Package / Boîte 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) DirectFET™ Isometric ME 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 15 nC @ 5 V 180 nC @ 10 V 22 nC @ 4.5 V 11 nC @ 10 V
type de FET P-Channel N-Channel N-Channel P-Channel
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) - -55°C ~ 150°C (TJ)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 2.5V, 4.5V 6V, 10V - 4.5V, 10V
Vgs (Max) ±12V ±20V - ±20V
Séries FETKY™ StrongIRFET™ - FETKY™
Dissipation de puissance (max) 1.25W (Ta) 115W (Tc) - 1.25W (Ta)
Vgs (th) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA 3.7V @ 150µA 700mV @ 250µA (Min) 1V @ 250µA
Package composant fournisseur Micro8™ DirectFET™ Isometric ME Micro8™ Micro8™
Emballer Tape & Reel (TR) Bulk Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 55mOhm @ 4.3A, 4.5V 3.6mOhm @ 70A, 10V 35mOhm @ 3.8A, 4.5V 200mOhm @ 1.2A, 10V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 4.3A (Ta) 114A (Tc) 5.7A (Ta) 2A (Ta)
Fonction FET Schottky Diode (Isolated) - - Schottky Diode (Isolated)

Fiche technique IRF7534D1TR PDF

Téléchargez IRF7534D1TR PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour IRF7534D1TR - Infineon Technologies.

Autres documents connexes
IR Part Numbering System.pdf
PCN Obsolescence / EOL
EOL122B 02/Oct/2007.pdf
Feuilles de données
IRF7534D1.pdf

Mode de transport

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
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Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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