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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRF7603TR
IRF7603TR Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRF7603TR - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IRF7603TR
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IRF7603TR
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 30V 5.6A MICRO8
Description détaillée
Emballage
8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Fiche technique
IRF7603.pdf
En stock: 4820

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRF7603TR
Infineon Technologies - IRF7603TR Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IRF7603TR

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur Micro8™  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 35mOhm @ 3.7A, 10V  
Package / Boîte 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)  
Emballer Cut Tape (CT)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 520 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 27 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension drain-source (Vdss) 30 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 5.6A (Ta)  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IRF7603TR

Attributs du produit IRF7603TR IRF7606TR IRF7580MTRPBF IRF7604TRPBF
Modèle de produit IRF7603TR IRF7606TR IRF7580MTRPBF IRF7604TRPBF
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies International Rectifier Infineon Technologies
Tension drain-source (Vdss) 30 V 30 V 60 V 20 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 520 pF @ 25 V 520 pF @ 25 V 6510 pF @ 25 V 590 pF @ 15 V
type de FET N-Channel P-Channel N-Channel P-Channel
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 5.6A (Ta) 3.6A (Ta) 114A (Tc) 3.6A (Ta)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 27 nC @ 10 V 30 nC @ 10 V 180 nC @ 10 V 20 nC @ 4.5 V
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Séries - HEXFET® StrongIRFET™ HEXFET®
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 35mOhm @ 3.7A, 10V 90mOhm @ 2.4A, 10V 3.6mOhm @ 70A, 10V 90mOhm @ 2.4A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA 1V @ 250µA 3.7V @ 150µA 700mV @ 250µA (Min)
Package / Boîte 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) DirectFET™ Isometric ME 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Emballer Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR)
Fonction FET - - - -
Package composant fournisseur Micro8™ Micro8™ DirectFET™ Isometric ME Micro8™

Fiche technique IRF7603TR PDF

Téléchargez IRF7603TR PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour IRF7603TR - Infineon Technologies.

Autres documents connexes
IR Part Numbering System.pdf
PCN Obsolescence / EOL
HiRel EOL 28/Jun/2015.pdf
Feuilles de données
IRF7603.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
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Italie 5
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Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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