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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - tableauxIRF7555TR
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IRF7555TR - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IRF7555TR
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IRF7555TR
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET 2P-CH 20V 4.3A MICRO8
Emballage
8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Fiche technique
IRF7555.pdf
Notre certification
En stock: 5170

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Quantité
OPTION EXPRESS
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Notre certification

Spécifications

Spécifications techniques IRF7555TR
Infineon Technologies - IRF7555TR Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IRF7555TR

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur Micro8™  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 55mOhm @ 4.3A, 4.5V  
Puissance - Max 1.25W  
Package / Boîte 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)  
Emballer Cut Tape (CT)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1066pF @ 10V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 15nC @ 5V  
Fonction FET Logic Level Gate  
Tension drain-source (Vdss) 20V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 4.3A  
Configuration 2 P-Channel (Dual)  
Numéro de produit de base IRF7555  

Classifications environnementales et d'exportation

ATTRIBUT LA DESCRIPTION
État RoHS RoHS non conforme
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut de portée REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IRF7555TR

Attributs du produit IRF7555TR IRF7530TRPBF IRF7555TRPBF IRF7530TR
Modèle de produit IRF7555TR IRF7530TRPBF IRF7555TRPBF IRF7530TR
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Fonction FET Logic Level Gate - Logic Level Gate -
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 4.3A 5.4A 4.3A 5.4A
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1066pF @ 10V 1310pF @ 15V 1066pF @ 10V 1310pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 55mOhm @ 4.3A, 4.5V 30mOhm @ 5.4A, 4.5V 55mOhm @ 4.3A, 4.5V 30mOhm @ 5.4A, 4.5V
Configuration 2 P-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual)
Tension drain-source (Vdss) 20V 20V 20V 20V
Package / Boîte 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Vgs (th) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA 1.2V @ 250µA 1.2V @ 250µA 1.2V @ 250µA
Package composant fournisseur Micro8™ Micro8™ Micro8™ Micro8™
Numéro de produit de base IRF7555 IRF7530 IRF7555 IRF7530
Emballer Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 15nC @ 5V 26nC @ 4.5V 15nC @ 5V 26nC @ 4.5V
Puissance - Max 1.25W 1.3W 1.25W 1.3W
Séries - HEXFET® HEXFET® HEXFET®

Fiche technique IRF7555TR PDF

Téléchargez IRF7555TR PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour IRF7555TR - Infineon Technologies.

Autres documents connexes
IR Part Numbering System.pdf
PCN Obsolescence / EOL
HiRel EOL 28/Jun/2015.pdf Gen 8 Rev2 08/Jul/2011.pdf
Feuilles de données
IRF7555.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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