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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - tableauxIRF7104PBF
IRF7104PBF Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRF7104PBF - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IRF7104PBF
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IRF7104PBF
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET 2P-CH 20V 2.3A 8-SOIC
Description détaillée
Emballage
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Fiche technique
IRF7104PBF.pdf
État RoHS
En stock: 4050

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRF7104PBF
Infineon Technologies - IRF7104PBF Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IRF7104PBF

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 8-SO  
Séries HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 250mOhm @ 1A, 10V  
Puissance - Max 2W  
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 290pF @ 15V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 25nC @ 10V  
Fonction FET Logic Level Gate  
Tension drain-source (Vdss) 20V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 2.3A  
Configuration 2 P-Channel (Dual)  
Numéro de produit de base IRF71  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IRF7104PBF

Attributs du produit IRF7104PBF IRF7103TRPBF IRF7103Q IRF7105PBF
Modèle de produit IRF7104PBF IRF7103TRPBF IRF7103Q IRF7105PBF
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Package composant fournisseur 8-SO 8-SO 8-SO 8-SO
Rds On (Max) @ Id, Vgs 250mOhm @ 1A, 10V 130mOhm @ 3A, 10V 130mOhm @ 3A, 10V 100mOhm @ 1A, 10V
Numéro de produit de base IRF71 IRF71 IRF71 IRF71
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 2.3A 3A 3A 3.5A, 2.3A
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 25nC @ 10V 30nC @ 10V 15nC @ 10V 27nC @ 10V
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Configuration 2 P-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) N and P-Channel
Puissance - Max 2W 2W 2.4W 2W
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Fonction FET Logic Level Gate - - -
Emballer Tube Tape & Reel (TR) Tube Tube
Séries HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA
Tension drain-source (Vdss) 20V 50V 50V 25V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 290pF @ 15V 290pF @ 25V 255pF @ 25V 330pF @ 15V

Fiche technique IRF7104PBF PDF

Téléchargez IRF7104PBF PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour IRF7104PBF - Infineon Technologies.

Autres documents connexes
IR Part Numbering System.pdf
Emballage PCN
Package Drawing Update 19/Aug/2015.pdf Mult Dev Tube Pkg Std 27/Dec/2018.pdf
Modification de l'état de la pièce PCN
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Assemblage / origine PCN
Warehouse Transfer 29/Jul/2015.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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