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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - tableauxIRF7103TRPBF
IRF7103TRPBF Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRF7103TRPBF - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IRF7103TRPBF
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IRF7103TRPBF
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET 2N-CH 50V 3A 8-SOIC
Description détaillée
Emballage
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Fiche technique
IRF7103TRPBF.pdf
État RoHS
En stock: 92000

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRF7103TRPBF
Infineon Technologies - IRF7103TRPBF Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IRF7103TRPBF

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 8-SO  
Séries HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 130mOhm @ 3A, 10V  
Puissance - Max 2W  
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 290pF @ 25V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 30nC @ 10V  
Fonction FET -  
Tension drain-source (Vdss) 50V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 3A  
Configuration 2 N-Channel (Dual)  
Numéro de produit de base IRF71  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IRF7103TRPBF

Attributs du produit IRF7103TRPBF IRF7103PBF IRF7104PBF IRF7103QTRPBF
Modèle de produit IRF7103TRPBF IRF7103PBF IRF7104PBF IRF7103QTRPBF
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Package composant fournisseur 8-SO 8-SO 8-SO 8-SO
Numéro de produit de base IRF71 IRF71 IRF71 IRF71
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 3A 3A 2.3A 3A
Configuration 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -
Fonction FET - - Logic Level Gate -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 290pF @ 25V 290pF @ 25V 290pF @ 15V 255pF @ 25V
Séries HEXFET® HEXFET® HEXFET® -
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 30nC @ 10V 30nC @ 10V 25nC @ 10V 15nC @ 10V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Emballer Tape & Reel (TR) Tube Tube Cut Tape (CT)
Puissance - Max 2W 2W 2W 2.4W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 130mOhm @ 3A, 10V 130mOhm @ 3A, 10V 250mOhm @ 1A, 10V 130mOhm @ 3A, 10V
Tension drain-source (Vdss) 50V 50V 20V 50V

Fiche technique IRF7103TRPBF PDF

Téléchargez IRF7103TRPBF PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour IRF7103TRPBF - Infineon Technologies.

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
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Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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