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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - tableauxIRF7105PBF
IRF7105PBF Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRF7105PBF - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IRF7105PBF
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IRF7105PBF
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N/P-CH 25V 8-SOIC
Description détaillée
Emballage
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Fiche technique
IRF7105PBF.pdf
État RoHS
En stock: 4090

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRF7105PBF
Infineon Technologies - IRF7105PBF Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IRF7105PBF

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 8-SO  
Séries HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 100mOhm @ 1A, 10V  
Puissance - Max 2W  
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 330pF @ 15V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 27nC @ 10V  
Fonction FET -  
Tension drain-source (Vdss) 25V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 3.5A, 2.3A  
Configuration N and P-Channel  
Numéro de produit de base IRF71  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IRF7105PBF

Attributs du produit IRF7105PBF IRF7105QTRPBF IRF7104PBF IRF7105TRPBF
Modèle de produit IRF7105PBF IRF7105QTRPBF IRF7104PBF IRF7105TRPBF
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Configuration N and P-Channel N and P-Channel 2 P-Channel (Dual) N and P-Channel
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 3.5A, 2.3A 3.5A, 2.3A 2.3A 3.5A, 2.3A
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Séries HEXFET® - HEXFET® HEXFET®
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA
Package composant fournisseur 8-SO 8-SO 8-SO 8-SO
Tension drain-source (Vdss) 25V 25V 20V 25V
Puissance - Max 2W 2W 2W 2W
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) - -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 100mOhm @ 1A, 10V 100mOhm @ 1A, 10V 250mOhm @ 1A, 10V 100mOhm @ 1A, 10V
Numéro de produit de base IRF71 IRF71 IRF71 IRF71
Fonction FET - - Logic Level Gate -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 330pF @ 15V 330pF @ 15V 290pF @ 15V 330pF @ 15V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 27nC @ 10V 27nC @ 10V 25nC @ 10V 27nC @ 10V
Emballer Tube Cut Tape (CT) Tube Tape & Reel (TR)
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Fiche technique IRF7105PBF PDF

Téléchargez IRF7105PBF PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour IRF7105PBF - Infineon Technologies.

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Modification de l'état de la pièce PCN
Mult Dev Tube Pkg Disc 12/Jun/2018.pdf
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Warehouse Transfer 29/Jul/2015.pdf
Emballage PCN
Barcode Label Update 24/Feb/2017.pdf Mult Dev Tube Pkg Std 27/Dec/2018.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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