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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - tableauxIRF7103Q
IRF7103Q Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRF7103Q - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IRF7103Q
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IRF7103Q
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET 2N-CH 50V 3A 8-SOIC
Description détaillée
Emballage
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Fiche technique
IRF7103Q.pdf
En stock: 4910

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRF7103Q
Infineon Technologies - IRF7103Q Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IRF7103Q

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 8-SO  
Séries HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 130mOhm @ 3A, 10V  
Puissance - Max 2.4W  
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 255pF @ 25V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 15nC @ 10V  
Fonction FET -  
Tension drain-source (Vdss) 50V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 3A  
Configuration 2 N-Channel (Dual)  
Numéro de produit de base IRF71  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IRF7103Q

Attributs du produit IRF7103Q IRF7104PBF IRF7102 IRF7103QTRPBF
Modèle de produit IRF7103Q IRF7104PBF IRF7102 IRF7103QTRPBF
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Emballer Tube Tube Tube Cut Tape (CT)
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 3A 2.3A 2A 3A
Numéro de produit de base IRF71 IRF71 IRF71 IRF71
Rds On (Max) @ Id, Vgs 130mOhm @ 3A, 10V 250mOhm @ 1A, 10V 300mOhm @ 1.5A, 10V 130mOhm @ 3A, 10V
Puissance - Max 2.4W 2W 2W 2.4W
Fonction FET - Logic Level Gate - -
Séries HEXFET® HEXFET® HEXFET® -
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) - -
Package composant fournisseur 8-SO 8-SO 8-SO 8-SO
Configuration 2 N-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 255pF @ 25V 290pF @ 15V 120pF @ 25V 255pF @ 25V
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 15nC @ 10V 25nC @ 10V 6.6nC @ 10V 15nC @ 10V
Tension drain-source (Vdss) 50V 20V 50V 50V

Fiche technique IRF7103Q PDF

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Autres documents connexes
IR Part Numbering System.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
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Italie 5
Océanie Australie 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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