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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - tableauxIRF7101TRPBF
IRF7101TRPBF Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRF7101TRPBF - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IRF7101TRPBF
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IRF7101TRPBF
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET 2N-CH 20V 3.5A 8-SOIC
Description détaillée
Emballage
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Fiche technique
IRF7101TRPBF.pdf
État RoHS
En stock: 4130

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRF7101TRPBF
Infineon Technologies - IRF7101TRPBF Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IRF7101TRPBF

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 8-SO  
Séries HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 100mOhm @ 1.8A, 10V  
Puissance - Max 2W  
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 320pF @ 15V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 15nC @ 10V  
Fonction FET Logic Level Gate  
Tension drain-source (Vdss) 20V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 3.5A  
Configuration 2 N-Channel (Dual)  
Numéro de produit de base IRF71  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IRF7101TRPBF

Attributs du produit IRF7101TRPBF IRF7101PBF IRF7103Q IRF7103PBF
Modèle de produit IRF7101TRPBF IRF7101PBF IRF7103Q IRF7103PBF
Fabricant Infineon Technologies International Rectifier Infineon Technologies Infineon Technologies
Package composant fournisseur 8-SO 8-SO 8-SO 8-SO
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 15nC @ 10V 15nC @ 10V 15nC @ 10V 30nC @ 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA
Puissance - Max 2W 2W 2.4W 2W
Configuration 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 100mOhm @ 1.8A, 10V 100mOhm @ 1.8A, 10V 130mOhm @ 3A, 10V 130mOhm @ 3A, 10V
Séries HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Fonction FET Logic Level Gate Logic Level Gate - -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 320pF @ 15V 320pF @ 15V 255pF @ 25V 290pF @ 25V
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Emballer Tape & Reel (TR) Bulk Tube Tube
Numéro de produit de base IRF71 IRF71 IRF71 IRF71
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 3.5A 3.5A 3A 3A
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (Vdss) 20V 20V 50V 50V

Fiche technique IRF7101TRPBF PDF

Téléchargez IRF7101TRPBF PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour IRF7101TRPBF - Infineon Technologies.

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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