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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRF2903ZPBF
IRF2903ZPBF Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRF2903ZPBF - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IRF2903ZPBF
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IRF2903ZPBF
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 30V 75A TO220AB
Description détaillée
Emballage
TO-220-3
Fiche technique
IRF2903ZPBF.pdf
État RoHS
En stock: 19964

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRF2903ZPBF
Infineon Technologies - IRF2903ZPBF Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IRF2903ZPBF

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 150µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-220AB  
Séries HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.4mOhm @ 75A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 290W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 6320 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 240 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 30 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 75A (Tc)  
Numéro de produit de base IRF2903  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IRF2903ZPBF

Attributs du produit IRF2903ZPBF IRF2807ZS IRF2807ZSPBF IRF2903ZSPBF
Modèle de produit IRF2903ZPBF IRF2807ZS IRF2807ZSPBF IRF2903ZSPBF
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies International Rectifier Infineon Technologies
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.4mOhm @ 75A, 10V 9.4mOhm @ 53A, 10V 9.4mOhm @ 53A, 10V 2.4mOhm @ 75A, 10V
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Numéro de produit de base IRF2903 - - -
Package composant fournisseur TO-220AB D2PAK PG-TO263-3-2 D2PAK
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 150µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 150µA
Séries HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 6320 pF @ 25 V 3270 pF @ 25 V 3270 pF @ 25 V 6320 pF @ 25 V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 240 nC @ 10 V 110 nC @ 10 V 110 nC @ 10 V 240 nC @ 10 V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V - 10V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 75A (Tc) 75A (Tc) 75A (Tc) 75A (Tc)
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Type de montage Through Hole Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Tension drain-source (Vdss) 30 V 75 V 75 V 30 V
Emballer Tube Tube Bulk Tube
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Package / Boîte TO-220-3 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Fonction FET - - - -
Dissipation de puissance (max) 290W (Tc) 170W (Tc) 170W (Tc) 231W (Tc)

Fiche technique IRF2903ZPBF PDF

Téléchargez IRF2903ZPBF PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour IRF2903ZPBF - Infineon Technologies.

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Amérique États-Unis 5
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Asie Inde 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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