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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRF2807ZSPBF
International Rectifier
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.
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IRF2807ZSPBF - International Rectifier

Fabricant Modèle de produit
IRF2807ZSPBF
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IRF2807ZSPBF
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 75V 75A TO263-3-2
Emballage
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Fiche technique
IRF2807ZSPBF.pdf
État RoHS
Notre certification
En stock: 4830

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Quantité
OPTION EXPRESS
Mode de paiement
Notre certification

Spécifications

Spécifications techniques IRF2807ZSPBF
International Rectifier - IRF2807ZSPBF Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à International Rectifier - IRF2807ZSPBF

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur PG-TO263-3-2  
Séries HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9.4mOhm @ 53A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 170W (Tc)  
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Emballer Bulk  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3270 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 110 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension drain-source (Vdss) 75 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 75A (Tc)  

Classifications environnementales et d'exportation

ATTRIBUT LA DESCRIPTION
État RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut de portée REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de International Rectifier IRF2807ZSPBF

Attributs du produit IRF2807ZSPBF IRF2807STRRPBF IRF2807ZS IRF2807ZLPBF
Modèle de produit IRF2807ZSPBF IRF2807STRRPBF IRF2807ZS IRF2807ZLPBF
Fabricant International Rectifier Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Séries HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9.4mOhm @ 53A, 10V 13mOhm @ 43A, 10V 9.4mOhm @ 53A, 10V 9.4mOhm @ 53A, 10V
Package composant fournisseur PG-TO263-3-2 D2PAK D2PAK TO-262
Emballer Bulk Tape & Reel (TR) Tube Tube
Tension drain-source (Vdss) 75 V 75 V 75 V 75 V
Dissipation de puissance (max) 170W (Tc) 230W (Tc) 170W (Tc) 170W (Tc)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 110 nC @ 10 V 160 nC @ 10 V 110 nC @ 10 V 110 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3270 pF @ 25 V 3820 pF @ 25 V 3270 pF @ 25 V 3270 pF @ 25 V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Through Hole
Fonction FET - - - -
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 75A (Tc) 82A (Tc) 75A (Tc) 75A (Tc)
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V

Mode de transport

Délai de livraison

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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