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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRF2807STRLPBF
IRF2807STRLPBF Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRF2807STRLPBF - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IRF2807STRLPBF
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IRF2807STRLPBF
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 75V 82A D2PAK
Description détaillée
Emballage
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Fiche technique
IRF2807STRLPBF.pdf
État RoHS
En stock: 17002

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRF2807STRLPBF
Infineon Technologies - IRF2807STRLPBF Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IRF2807STRLPBF

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur D2PAK  
Séries HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 13mOhm @ 43A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 230W (Tc)  
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3820 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 160 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 75 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 82A (Tc)  
Numéro de produit de base IRF2807  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IRF2807STRLPBF

Attributs du produit IRF2807STRLPBF IRF2807STRRPBF IRF2805STRRPBF IRF2807S
Modèle de produit IRF2807STRLPBF IRF2807STRRPBF IRF2805STRRPBF IRF2807S
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Tension drain-source (Vdss) 75 V 75 V 55 V 75 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 13mOhm @ 43A, 10V 13mOhm @ 43A, 10V 4.7mOhm @ 104A, 10V 13mOhm @ 43A, 10V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Séries HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Fonction FET - - - -
Dissipation de puissance (max) 230W (Tc) 230W (Tc) 200W (Tc) 230W (Tc)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 82A (Tc) 82A (Tc) 135A (Tc) 82A (Tc)
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3820 pF @ 25 V 3820 pF @ 25 V 5110 pF @ 25 V 3820 pF @ 25 V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 160 nC @ 10 V 160 nC @ 10 V 230 nC @ 10 V 160 nC @ 10 V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Package composant fournisseur D2PAK D2PAK D2PAK D2PAK
Numéro de produit de base IRF2807 IRF2807 - -

Fiche technique IRF2807STRLPBF PDF

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