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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRF2805STRRPBF
IRF2805STRRPBF Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRF2805STRRPBF - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IRF2805STRRPBF
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IRF2805STRRPBF
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 55V 135A D2PAK
Description détaillée
Emballage
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Fiche technique
IRF2805STRRPBF.pdf
En stock: 3880

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRF2805STRRPBF
Infineon Technologies - IRF2805STRRPBF Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IRF2805STRRPBF

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur D2PAK  
Séries HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.7mOhm @ 104A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 200W (Tc)  
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 5110 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 230 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 55 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 135A (Tc)  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IRF2805STRRPBF

Attributs du produit IRF2805STRRPBF IRF2807PBF IRF2807L IRF2804STRR7PP
Modèle de produit IRF2805STRRPBF IRF2807PBF IRF2807L IRF2804STRR7PP
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-220-3 TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB
Fonction FET - - - -
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 135A (Tc) 82A (Tc) 82A (Tc) 160A (Tc)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Dissipation de puissance (max) 200W (Tc) 230W (Tc) 230W (Tc) 330W (Tc)
Package composant fournisseur D2PAK TO-220AB TO-262 D2PAK (7-Lead)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Tension drain-source (Vdss) 55 V 75 V 75 V 40 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.7mOhm @ 104A, 10V 13mOhm @ 43A, 10V 13mOhm @ 43A, 10V 1.6mOhm @ 160A, 10V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Emballer Tape & Reel (TR) Tube Tube Tape & Reel (TR)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 230 nC @ 10 V 160 nC @ 10 V 160 nC @ 10 V 260 nC @ 10 V
Séries HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Type de montage Surface Mount Through Hole Through Hole Surface Mount
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 5110 pF @ 25 V 3820 pF @ 25 V 3820 pF @ 25 V 6930 pF @ 25 V
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel

Fiche technique IRF2805STRRPBF PDF

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Autres documents connexes
IR Part Numbering System.pdf

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
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Italie 5
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Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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