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IRF2807PBF - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IRF2807PBF
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IRF2807PBF
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 75V 82A TO220AB
Emballage
TO-220-3
Fiche technique
IRF2807PBF.pdf
État RoHS
Notre certification
En stock: 30790

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Quantité
OPTION EXPRESS
Mode de paiement
Notre certification

Spécifications

Spécifications techniques IRF2807PBF
Infineon Technologies - IRF2807PBF Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IRF2807PBF

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-220AB  
Séries HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 13mOhm @ 43A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 230W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3820 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 160 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 75 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 82A (Tc)  
Numéro de produit de base IRF2807  

Classifications environnementales et d'exportation

ATTRIBUT LA DESCRIPTION
État RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut de portée REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IRF2807PBF

Attributs du produit IRF2807PBF IRF2807L IRF2805SPBF IRF2807STRRPBF
Modèle de produit IRF2807PBF IRF2807L IRF2805SPBF IRF2807STRRPBF
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Package / Boîte TO-220-3 TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Type de montage Through Hole Through Hole Surface Mount Surface Mount
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3820 pF @ 25 V 3820 pF @ 25 V 5110 pF @ 25 V 3820 pF @ 25 V
Emballer Tube Tube Tube Tape & Reel (TR)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 13mOhm @ 43A, 10V 13mOhm @ 43A, 10V 4.7mOhm @ 104A, 10V 13mOhm @ 43A, 10V
Fonction FET - - - -
Séries HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 82A (Tc) 82A (Tc) 135A (Tc) 82A (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Package composant fournisseur TO-220AB TO-262 D2PAK D2PAK
Tension drain-source (Vdss) 75 V 75 V 55 V 75 V
Dissipation de puissance (max) 230W (Tc) 230W (Tc) 200W (Tc) 230W (Tc)
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 160 nC @ 10 V 160 nC @ 10 V 230 nC @ 10 V 160 nC @ 10 V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Numéro de produit de base IRF2807 - - IRF2807

Fiche technique IRF2807PBF PDF

Téléchargez IRF2807PBF PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour IRF2807PBF - Infineon Technologies.

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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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