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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRF2805PBF
IRF2805PBF Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRF2805PBF - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IRF2805PBF
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IRF2805PBF
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB
Description détaillée
Emballage
TO-220-3
Fiche technique
IRF2805PBF.pdf
État RoHS
En stock: 26479

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRF2805PBF
Infineon Technologies - IRF2805PBF Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IRF2805PBF

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-220AB  
Séries HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.7mOhm @ 104A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 330W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 5110 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 230 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 55 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 75A (Tc)  
Numéro de produit de base IRF2805  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IRF2805PBF

Attributs du produit IRF2805PBF IRF2804STRRPBF IRF2805LPBF IRF2807L
Modèle de produit IRF2805PBF IRF2804STRRPBF IRF2805LPBF IRF2807L
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Through Hole Surface Mount Through Hole Through Hole
Package composant fournisseur TO-220AB D2PAK TO-262 TO-262
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Tension drain-source (Vdss) 55 V 40 V 55 V 75 V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 75A (Tc) 75A (Tc) 135A (Tc) 82A (Tc)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 230 nC @ 10 V 240 nC @ 10 V 230 nC @ 10 V 160 nC @ 10 V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Numéro de produit de base IRF2805 IRF2804 - -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 5110 pF @ 25 V 6450 pF @ 25 V 5110 pF @ 25 V 3820 pF @ 25 V
Dissipation de puissance (max) 330W (Tc) 300W (Tc) 200W (Tc) 230W (Tc)
Fonction FET - - - -
Séries HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Emballer Tube Tape & Reel (TR) Tube Tube
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.7mOhm @ 104A, 10V 2mOhm @ 75A, 10V 4.7mOhm @ 104A, 10V 13mOhm @ 43A, 10V
Package / Boîte TO-220-3 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

Fiche technique IRF2805PBF PDF

Téléchargez IRF2805PBF PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour IRF2805PBF - Infineon Technologies.

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Amérique États-Unis 5
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Asie Inde 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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