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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRF2804STRLPBF
IRF2804STRLPBF Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRF2804STRLPBF - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IRF2804STRLPBF
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IRF2804STRLPBF
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
Description détaillée
Emballage
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Fiche technique
IRF2804STRLPBF.pdf
État RoHS
En stock: 16103

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRF2804STRLPBF
Infineon Technologies - IRF2804STRLPBF Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IRF2804STRLPBF

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur D2PAK  
Séries HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2mOhm @ 75A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 300W (Tc)  
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 6450 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 240 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 40 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 75A (Tc)  
Numéro de produit de base IRF2804  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IRF2804STRLPBF

Attributs du produit IRF2804STRLPBF IRF2804STRRPBF IRF2805PBF IRF2804STRL7PP
Modèle de produit IRF2804STRLPBF IRF2804STRRPBF IRF2805PBF IRF2804STRL7PP
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)
Séries HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2mOhm @ 75A, 10V 2mOhm @ 75A, 10V 4.7mOhm @ 104A, 10V 1.6mOhm @ 160A, 10V
Tension drain-source (Vdss) 40 V 40 V 55 V 40 V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 75A (Tc) 75A (Tc) 75A (Tc) 160A (Tc)
Type de montage Surface Mount Surface Mount Through Hole Surface Mount
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 6450 pF @ 25 V 6450 pF @ 25 V 5110 pF @ 25 V 6930 pF @ 25 V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Numéro de produit de base IRF2804 IRF2804 IRF2805 IRF2804
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 240 nC @ 10 V 240 nC @ 10 V 230 nC @ 10 V 260 nC @ 10 V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-220-3 TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB
Fonction FET - - - -
Dissipation de puissance (max) 300W (Tc) 300W (Tc) 330W (Tc) 330W (Tc)
Package composant fournisseur D2PAK D2PAK TO-220AB D2PAK (7-Lead)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V

Fiche technique IRF2804STRLPBF PDF

Téléchargez IRF2804STRLPBF PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour IRF2804STRLPBF - Infineon Technologies.

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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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