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AccueilCentre des produitsCircuits intégrés (ci)PMIC - Gate pilotesIR2112-1PBF
IR2112-1PBF Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IR2112-1PBF - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IR2112-1PBF
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IR2112-1PBF
Modèle ECAD
Description des pièces
IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 14DIP
Description détaillée
Emballage
14-DIP (0.300', 7.62mm), 13 Leads
Fiche technique
Cylindrical Battery Holders.pdf
En stock: 13320

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IR2112-1PBF
Infineon Technologies - IR2112-1PBF Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IR2112-1PBF

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Tension - Alimentation 10V ~ 20V  
Package composant fournisseur 14-PDIP  
Séries -  
Rise / Fall Time (Typ) 80ns, 40ns  
Package / Boîte 14-DIP (0.300', 7.62mm), 13 Leads  
Emballer Tube  
Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)  
Nombre de conducteurs 2  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Type de montage Through Hole  
Tension logique - VIL, VIH 6V, 9.5V  
Type d'entrée Non-Inverting  
Côté haut potentiel - Max (Bootstrap) 600 V  
Type de porte IGBT, N-Channel MOSFET  
Configuration pilotée High-Side or Low-Side  
Current - Peak Output (Source, Évier) 250mA, 500mA  
courant de charge Independent  
Numéro de produit de base IR2112  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IR2112-1PBF

Attributs du produit IR2112-1PBF IR2111STR IR2112STR IR2113-2
Modèle de produit IR2112-1PBF IR2111STR IR2112STR IR2113-2
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Séries - - - -
Type d'entrée Non-Inverting Non-Inverting Non-Inverting Non-Inverting
Type de montage Through Hole Surface Mount Surface Mount Through Hole
Current - Peak Output (Source, Évier) 250mA, 500mA 250mA, 500mA 250mA, 500mA 2A, 2A
Configuration pilotée High-Side or Low-Side Half-Bridge High-Side or Low-Side Half-Bridge
Numéro de produit de base IR2112 IR2111 IR2112 IR2113
Tension logique - VIL, VIH 6V, 9.5V 8.3V, 12.6V 6V, 9.5V 6V, 9.5V
Rise / Fall Time (Typ) 80ns, 40ns 80ns, 40ns 80ns, 40ns 25ns, 17ns
Package / Boîte 14-DIP (0.300', 7.62mm), 13 Leads 8-SOIC (0.154', 3.90mm Width) 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width) 16-DIP (0.300', 7.62mm), 14 Leads
courant de charge Independent Synchronous Independent Independent
Type de porte IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET
Côté haut potentiel - Max (Bootstrap) 600 V 600 V 600 V 600 V
Nombre de conducteurs 2 2 2 2
Emballer Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube
Package composant fournisseur 14-PDIP 8-SOIC 16-SOIC 16-PDIP
Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ)
Tension - Alimentation 10V ~ 20V 10V ~ 20V 10V ~ 20V 3.3V ~ 20V

Fiche technique IR2112-1PBF PDF

Téléchargez IR2112-1PBF PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour IR2112-1PBF - Infineon Technologies.

Autres documents connexes
Part Number Guide.pdf
Feuilles de données
Cylindrical Battery Holders.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
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L'Europe  Allemagne 5
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Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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