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AccueilCentre des produitsCircuits intégrés (ci)PMIC - Gate pilotesIR2112SPBF
IR2112SPBF Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IR2112SPBF - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IR2112SPBF
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IR2112SPBF
Modèle ECAD
Description des pièces
IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 16SOIC
Description détaillée
Emballage
16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Fiche technique
IR2112(-1-2)(S)PbF.pdf
État RoHS
En stock: 19389

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IR2112SPBF
Infineon Technologies - IR2112SPBF Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IR2112SPBF

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Tension - Alimentation 10V ~ 20V  
Package composant fournisseur 16-SOIC  
Séries -  
Rise / Fall Time (Typ) 80ns, 40ns  
Package / Boîte 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)  
Emballer Tube  
Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)  
Nombre de conducteurs 2  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Type de montage Surface Mount  
Tension logique - VIL, VIH 6V, 9.5V  
Type d'entrée Non-Inverting  
Côté haut potentiel - Max (Bootstrap) 600 V  
Type de porte IGBT, N-Channel MOSFET  
Configuration pilotée High-Side or Low-Side  
Current - Peak Output (Source, Évier) 250mA, 500mA  
courant de charge Independent  
Numéro de produit de base IR2112  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IR2112SPBF

Attributs du produit IR2112SPBF IR2112STRPBF IR2112-1 IR2111STR
Modèle de produit IR2112SPBF IR2112STRPBF IR2112-1 IR2111STR
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Tension logique - VIL, VIH 6V, 9.5V 6V, 9.5V 6V, 9.5V 8.3V, 12.6V
Nombre de conducteurs 2 2 2 2
courant de charge Independent Independent Independent Synchronous
Type d'entrée Non-Inverting Non-Inverting Non-Inverting Non-Inverting
Emballer Tube Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)
Current - Peak Output (Source, Évier) 250mA, 500mA 250mA, 500mA 250mA, 500mA 250mA, 500mA
Séries - - - -
Numéro de produit de base IR2112 IR2112 IR2112 IR2111
Type de porte IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET
Rise / Fall Time (Typ) 80ns, 40ns 80ns, 40ns 80ns, 40ns 80ns, 40ns
Package / Boîte 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width) 16-SOIC (0.295', 7.50mm Width) 14-DIP (0.300', 7.62mm), 13 Leads 8-SOIC (0.154', 3.90mm Width)
Type de montage Surface Mount Surface Mount Through Hole Surface Mount
Tension - Alimentation 10V ~ 20V 10V ~ 20V 10V ~ 20V 10V ~ 20V
Configuration pilotée High-Side or Low-Side High-Side or Low-Side High-Side or Low-Side Half-Bridge
Package composant fournisseur 16-SOIC 16-SOIC 14-PDIP 8-SOIC
Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ)
Côté haut potentiel - Max (Bootstrap) 600 V 600 V 600 V 600 V

Fiche technique IR2112SPBF PDF

Téléchargez IR2112SPBF PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour IR2112SPBF - Infineon Technologies.

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Feuilles de données
IR2112(-1-2)(S)PbF.pdf

Mode de transport

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Amérique États-Unis 5
Brésil 7
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Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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