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IR2111PBF - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IR2111PBF
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IR2111PBF
Modèle ECAD
Description des pièces
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8DIP
Emballage
8-DIP (0.300", 7.62mm)
Fiche technique
IR2111(S).pdf
État RoHS
Notre certification
En stock: 14216

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Quantité
OPTION EXPRESS
Mode de paiement
Notre certification

Spécifications

Spécifications techniques IR2111PBF
Infineon Technologies - IR2111PBF Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IR2111PBF

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Tension - Alimentation 10V ~ 20V  
Package composant fournisseur 8-PDIP  
Séries -  
Rise / Fall Time (Typ) 80ns, 40ns  
Package / Boîte 8-DIP (0.300", 7.62mm)  
Emballer Tube  
Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)  
Nombre de conducteurs 2  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Type de montage Through Hole  
Tension logique - VIL, VIH 8.3V, 12.6V  
Type d'entrée Non-Inverting  
Côté haut potentiel - Max (Bootstrap) 600 V  
Type de porte IGBT, N-Channel MOSFET  
Configuration pilotée Half-Bridge  
Current - Peak Output (Source, Évier) 250mA, 500mA  
courant de charge Synchronous  
Numéro de produit de base IR2111  

Classifications environnementales et d'exportation

ATTRIBUT LA DESCRIPTION
État RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut de portée REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS 8542.39.0001

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IR2111PBF

Attributs du produit IR2111PBF IR2111 IR2110PBF IR2111SPBF
Modèle de produit IR2111PBF IR2111 IR2110PBF IR2111SPBF
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Surface Mount
Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ)
Type d'entrée Non-Inverting Non-Inverting Non-Inverting Non-Inverting
Tension logique - VIL, VIH 8.3V, 12.6V 8.3V, 12.6V 6V, 9.5V 8.3V, 12.6V
Numéro de produit de base IR2111 IR2111 IR2110 IR2111
Configuration pilotée Half-Bridge Half-Bridge Half-Bridge Half-Bridge
courant de charge Synchronous Synchronous Independent Synchronous
Type de porte IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET
Emballer Tube Tube Tube Tube
Package composant fournisseur 8-PDIP 8-PDIP 14-DIP 8-SOIC
Séries - - - -
Rise / Fall Time (Typ) 80ns, 40ns 80ns, 40ns 25ns, 17ns 80ns, 40ns
Tension - Alimentation 10V ~ 20V 10V ~ 20V 3.3V ~ 20V 10V ~ 20V
Current - Peak Output (Source, Évier) 250mA, 500mA 250mA, 500mA 2A, 2A 250mA, 500mA
Côté haut potentiel - Max (Bootstrap) 600 V 600 V 500 V 600 V
Nombre de conducteurs 2 2 2 2
Package / Boîte 8-DIP (0.300", 7.62mm) 8-DIP (0.300", 7.62mm) 14-DIP (0.300', 7.62mm) 8-SOIC (0.154', 3.90mm Width)

Fiche technique IR2111PBF PDF

Téléchargez IR2111PBF PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour IR2111PBF - Infineon Technologies.

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Feuilles de données
IR2111(S).pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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