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AccueilCentre des produitsCircuits intégrés (ci)PMIC - Gate pilotesIR2113-1
IR2113-1 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IR2113-1 - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IR2113-1
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IR2113-1
Modèle ECAD
Description des pièces
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14DIP
Description détaillée
Emballage
14-DIP (0.300", 7.62mm), 13 Leads
Fiche technique
IR2110(-1-2)(S)PbF/IR2113(-1-2)(S)PbF.pdf
En stock: 9250

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IR2113-1
Infineon Technologies - IR2113-1 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IR2113-1

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Tension - Alimentation 3.3V ~ 20V  
Package composant fournisseur 14-PDIP  
Séries -  
Rise / Fall Time (Typ) 25ns, 17ns  
Package / Boîte 14-DIP (0.300", 7.62mm), 13 Leads  
Emballer Tube  
Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)  
Nombre de conducteurs 2  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Type de montage Through Hole  
Tension logique - VIL, VIH 6V, 9.5V  
Type d'entrée Non-Inverting  
Côté haut potentiel - Max (Bootstrap) 600 V  
Type de porte IGBT, N-Channel MOSFET  
Configuration pilotée Half-Bridge  
Current - Peak Output (Source, Évier) 2A, 2A  
courant de charge Independent  
Numéro de produit de base IR2113  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IR2113-1

Attributs du produit IR2113-1 IR2112-1 IR2113SPBF IR2112STRPBF
Modèle de produit IR2113-1 IR2112-1 IR2113SPBF IR2112STRPBF
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
courant de charge Independent Independent Independent Independent
Package composant fournisseur 14-PDIP 14-PDIP 16-SOIC 16-SOIC
Nombre de conducteurs 2 2 2 2
Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ)
Package / Boîte 14-DIP (0.300", 7.62mm), 13 Leads 14-DIP (0.300', 7.62mm), 13 Leads 16-SOIC (0.295', 7.50mm Width) 16-SOIC (0.295', 7.50mm Width)
Tension - Alimentation 3.3V ~ 20V 10V ~ 20V 3.3V ~ 20V 10V ~ 20V
Rise / Fall Time (Typ) 25ns, 17ns 80ns, 40ns 25ns, 17ns 80ns, 40ns
Séries - - - -
Numéro de produit de base IR2113 IR2112 IR2113 IR2112
Emballer Tube Tube Tube Tape & Reel (TR)
Type d'entrée Non-Inverting Non-Inverting Non-Inverting Non-Inverting
Type de porte IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET
Tension logique - VIL, VIH 6V, 9.5V 6V, 9.5V 6V, 9.5V 6V, 9.5V
Type de montage Through Hole Through Hole Surface Mount Surface Mount
Current - Peak Output (Source, Évier) 2A, 2A 250mA, 500mA 2A, 2A 250mA, 500mA
Côté haut potentiel - Max (Bootstrap) 600 V 600 V 600 V 600 V
Configuration pilotée Half-Bridge High-Side or Low-Side Half-Bridge High-Side or Low-Side

Fiche technique IR2113-1 PDF

Téléchargez IR2113-1 PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour IR2113-1 - Infineon Technologies.

Autres documents connexes
Part Number Guide.pdf
Feuilles de données
IR2110(-1-2)(S)PbF/IR2113(-1-2)(S)PbF.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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