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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - tableauxBSO615NGXUMA1
BSO615NGXUMA1 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

BSO615NGXUMA1 - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
BSO615NGXUMA1
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-BSO615NGXUMA1
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N/P-CH 8-SOIC
Description détaillée
Emballage
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Fiche technique
BSO615NGXUMA1.pdf
État RoHS
En stock: 66780

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques BSO615NGXUMA1
Infineon Technologies - BSO615NGXUMA1 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - BSO615NGXUMA1

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 20µA  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur PG-DSO-8  
Séries Automotive, AEC-Q101, SIPMOS®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 150mOhm @ 2.6A, 4.5V  
Puissance - Max 2W (Ta)  
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 380pF @ 25V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 10V  
Fonction FET Logic Level Gate  
Tension drain-source (Vdss) 60V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 2.6A  
Configuration 2 N-Channel (Dual)  
Numéro de produit de base BSO615  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies BSO615NGXUMA1

Attributs du produit BSO615NGXUMA1 BSO4804 BSO612CV BSO615NGHUMA1
Modèle de produit BSO615NGXUMA1 BSO4804 BSO612CV BSO615NGHUMA1
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Tension drain-source (Vdss) 60V 30V 60V 60V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 150mOhm @ 2.6A, 4.5V 20mOhm @ 8A, 10V 120mOhm @ 3A, 10V 150mOhm @ 2.6A, 4.5V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Puissance - Max 2W (Ta) 2W 2W 2W
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Séries Automotive, AEC-Q101, SIPMOS® OptiMOS™ SIPMOS® SIPMOS®
Numéro de produit de base BSO615 BSO4804 BSO612 BSO615
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 2.6A 8A 3A, 2A 2.6A
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 20µA 2V @ 30µA 4V @ 20µA 2V @ 20µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 10V 17nC @ 5V 15.5nC @ 10V 20nC @ 10V
Fonction FET Logic Level Gate Logic Level Gate - Logic Level Gate
Package composant fournisseur PG-DSO-8 PG-DSO-8 PG-DSO-8 PG-DSO-8
Configuration 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) N and P-Channel 2 N-Channel (Dual)
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 380pF @ 25V 870pF @ 25V 340pF @ 25V 380pF @ 25V

Fiche technique BSO615NGXUMA1 PDF

Téléchargez BSO615NGXUMA1 PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour BSO615NGXUMA1 - Infineon Technologies.

Emballage PCN
Mult Dev Cover Tape Chg 13/Jul/2022.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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BSO615NGXUMA1

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32D-BSO615NGXUMA1

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