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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - tableauxBSO615CGHUMA1
BSO615CGHUMA1 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

BSO615CGHUMA1 - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
BSO615CGHUMA1
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-BSO615CGHUMA1
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N/P-CH 60V 3.1A/2A 8SOIC
Description détaillée
Emballage
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Fiche technique
BSO615C.pdf
État RoHS
En stock: 4600

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques BSO615CGHUMA1
Infineon Technologies - BSO615CGHUMA1 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - BSO615CGHUMA1

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 20µA  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur PG-DSO-8  
Séries SIPMOS®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 110mOhm @ 3.1A, 10V  
Puissance - Max 2W  
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 380pF @ 25V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 22.5nC @ 10V  
Fonction FET Logic Level Gate  
Tension drain-source (Vdss) 60V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 3.1A, 2A  
Configuration N and P-Channel  
Numéro de produit de base BSO615  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies BSO615CGHUMA1

Attributs du produit BSO615CGHUMA1 BSO615CGXUMA1 BSO615N BSO615NGHUMA1
Modèle de produit BSO615CGHUMA1 BSO615CGXUMA1 BSO615N BSO615NGHUMA1
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Package composant fournisseur PG-DSO-8 PG-DSO-8 PG-DSO-8 PG-DSO-8
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Séries SIPMOS® SIPMOS® SIPMOS® SIPMOS®
Puissance - Max 2W 2W (Ta) 2W 2W
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 380pF @ 25V 380pF @ 25V, 460pF @ 25V 380pF @ 25V 380pF @ 25V
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Fonction FET Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 3.1A, 2A 3.1A (Ta), 2A (Ta) 2.6A 2.6A
Tension drain-source (Vdss) 60V 60V 60V 60V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 22.5nC @ 10V 22.5nC @ 10V, 20nC @ 10V 20nC @ 10V 20nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 110mOhm @ 3.1A, 10V 110mOhm @ 3.1A, 10V, 300mOhm @ 2A, 10V 150mOhm @ 2.6A, 4.5V 150mOhm @ 2.6A, 4.5V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration N and P-Channel N and P-Channel 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual)
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 20µA 2V @ 20µA, 2V @ 450µA 2V @ 20µA 2V @ 20µA
Numéro de produit de base BSO615 BSO615 BSO615 BSO615
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)

Fiche technique BSO615CGHUMA1 PDF

Téléchargez BSO615CGHUMA1 PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour BSO615CGHUMA1 - Infineon Technologies.

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Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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BSO615CGHUMA1

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