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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - tableauxBSO612CV
BSO612CV Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

BSO612CV - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
BSO612CV
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-BSO612CV
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N/P-CH 60V 3A/2A 8SOIC
Description détaillée
Emballage
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Fiche technique
BSO612CV.pdf
En stock: 4410

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques BSO612CV
Infineon Technologies - BSO612CV Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - BSO612CV

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 20µA  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur PG-DSO-8  
Séries SIPMOS®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 120mOhm @ 3A, 10V  
Puissance - Max 2W  
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 340pF @ 25V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 15.5nC @ 10V  
Fonction FET -  
Tension drain-source (Vdss) 60V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 3A, 2A  
Configuration N and P-Channel  
Numéro de produit de base BSO612  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies BSO612CV

Attributs du produit BSO612CV BSO350N03 BSO615CGHUMA1 BSO612CVG
Modèle de produit BSO612CV BSO350N03 BSO615CGHUMA1 BSO612CVG
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 20µA 2V @ 6µA 2V @ 20µA 4V @ 20µA, 4V @ 450µA
Puissance - Max 2W 1.4W 2W 2W (Ta)
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) -
Séries SIPMOS® OptiMOS™ SIPMOS® -
Numéro de produit de base BSO612 BSO350N03 BSO615 -
Fonction FET - Logic Level Gate Logic Level Gate Standard
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Package composant fournisseur PG-DSO-8 PG-DSO-8 PG-DSO-8 PG-DSO-8
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 3A, 2A 5A 3.1A, 2A 3A (Ta), 2A (Ta)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 340pF @ 25V 480pF @ 15V 380pF @ 25V 340pF, 400pF @ 25V
Configuration N and P-Channel 2 N-Channel (Dual) N and P-Channel -
Tension drain-source (Vdss) 60V 30V 60V 60V
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 15.5nC @ 10V 3.7nC @ 5V 22.5nC @ 10V 15.5nC @ 10V, 16nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 120mOhm @ 3A, 10V 35mOhm @ 6A, 10V 110mOhm @ 3.1A, 10V 120mOhm @ 3A, 10V, 300mOhm @ 2A, 10V

Fiche technique BSO612CV PDF

Téléchargez BSO612CV PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour BSO612CV - Infineon Technologies.

Autres documents connexes
Part Number Guide.pdf
PCN Obsolescence / EOL
Multiple Devices 22/Feb/2008.pdf
Feuilles de données
BSO612CV.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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