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BSO615CGXUMA1 Image
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BSO615CGXUMA1 - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
BSO615CGXUMA1
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-BSO615CGXUMA1
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N/P-CH 8-SOIC
Emballage
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Fiche technique
BSO615CGXUMA1.pdf
État RoHS
Notre certification
En stock: 67640

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Quantité
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Mode de paiement
Notre certification

Spécifications

Spécifications techniques BSO615CGXUMA1
Infineon Technologies - BSO615CGXUMA1 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - BSO615CGXUMA1

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 20µA, 2V @ 450µA  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur PG-DSO-8  
Séries SIPMOS®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 110mOhm @ 3.1A, 10V, 300mOhm @ 2A, 10V  
Puissance - Max 2W (Ta)  
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 380pF @ 25V, 460pF @ 25V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 22.5nC @ 10V, 20nC @ 10V  
Fonction FET Logic Level Gate  
Tension drain-source (Vdss) 60V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 3.1A (Ta), 2A (Ta)  
Configuration N and P-Channel  
Numéro de produit de base BSO615  

Classifications environnementales et d'exportation

ATTRIBUT LA DESCRIPTION
État RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 3 (168 Hours)
Statut de portée REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies BSO615CGXUMA1

Attributs du produit BSO615CGXUMA1 BSO612CVG BSO615NGHUMA1 BSO612CV
Modèle de produit BSO615CGXUMA1 BSO612CVG BSO615NGHUMA1 BSO612CV
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Package composant fournisseur PG-DSO-8 PG-DSO-8 PG-DSO-8 PG-DSO-8
La technologie MOSFET (Metal Oxide) - MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 20µA, 2V @ 450µA 4V @ 20µA, 4V @ 450µA 2V @ 20µA 4V @ 20µA
Numéro de produit de base BSO615 - BSO615 BSO612
Fonction FET Logic Level Gate Standard Logic Level Gate -
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 22.5nC @ 10V, 20nC @ 10V 15.5nC @ 10V, 16nC @ 10V 20nC @ 10V 15.5nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 380pF @ 25V, 460pF @ 25V 340pF, 400pF @ 25V 380pF @ 25V 340pF @ 25V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 3.1A (Ta), 2A (Ta) 3A (Ta), 2A (Ta) 2.6A 3A, 2A
Puissance - Max 2W (Ta) 2W (Ta) 2W 2W
Emballer Tape & Reel (TR) - Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Tension drain-source (Vdss) 60V 60V 60V 60V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Séries SIPMOS® - SIPMOS® SIPMOS®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 110mOhm @ 3.1A, 10V, 300mOhm @ 2A, 10V 120mOhm @ 3A, 10V, 300mOhm @ 2A, 10V 150mOhm @ 2.6A, 4.5V 120mOhm @ 3A, 10V
Configuration N and P-Channel - 2 N-Channel (Dual) N and P-Channel

Fiche technique BSO615CGXUMA1 PDF

Téléchargez BSO615CGXUMA1 PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour BSO615CGXUMA1 - Infineon Technologies.

Emballage PCN
Mult Dev Cover Tape Chg 13/Jul/2022.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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