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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - tableauxBSO350N03
BSO350N03 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

BSO350N03 - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
BSO350N03
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-BSO350N03
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET 2N-CH 30V 5A 8DSO
Description détaillée
Emballage
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Fiche technique
BSO350N03.pdf
En stock: 5080

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques BSO350N03
Infineon Technologies - BSO350N03 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - BSO350N03

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 6µA  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur PG-DSO-8  
Séries OptiMOS™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 35mOhm @ 6A, 10V  
Puissance - Max 1.4W  
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 480pF @ 15V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 3.7nC @ 5V  
Fonction FET Logic Level Gate  
Tension drain-source (Vdss) 30V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 5A  
Configuration 2 N-Channel (Dual)  
Numéro de produit de base BSO350N03  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies BSO350N03

Attributs du produit BSO350N03 BSO612CVG BSO4804 BSO612CV
Modèle de produit BSO350N03 BSO612CVG BSO4804 BSO612CV
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 5A 3A (Ta), 2A (Ta) 8A 3A, 2A
Puissance - Max 1.4W 2W (Ta) 2W 2W
Tension drain-source (Vdss) 30V 60V 30V 60V
Fonction FET Logic Level Gate Standard Logic Level Gate -
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 6µA 4V @ 20µA, 4V @ 450µA 2V @ 30µA 4V @ 20µA
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 480pF @ 15V 340pF, 400pF @ 25V 870pF @ 25V 340pF @ 25V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration 2 N-Channel (Dual) - 2 N-Channel (Dual) N and P-Channel
Emballer Tape & Reel (TR) - Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
La technologie MOSFET (Metal Oxide) - MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Séries OptiMOS™ - OptiMOS™ SIPMOS®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 35mOhm @ 6A, 10V 120mOhm @ 3A, 10V, 300mOhm @ 2A, 10V 20mOhm @ 8A, 10V 120mOhm @ 3A, 10V
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Package composant fournisseur PG-DSO-8 PG-DSO-8 PG-DSO-8 PG-DSO-8
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 3.7nC @ 5V 15.5nC @ 10V, 16nC @ 10V 17nC @ 5V 15.5nC @ 10V
Numéro de produit de base BSO350N03 - BSO4804 BSO612

Fiche technique BSO350N03 PDF

Téléchargez BSO350N03 PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour BSO350N03 - Infineon Technologies.

Autres documents connexes
Part Number Guide.pdf
Feuilles de données
BSO350N03.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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