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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - tableauxBSO303P
Infineon Technologies
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

BSO303P - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
BSO303P
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-BSO303P
Modèle ECAD
Description des pièces
P-CHANNEL POWER MOSFET
Description détaillée
Emballage
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Fiche technique
BSO303P.pdf
En stock: 4780

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques BSO303P
Infineon Technologies - BSO303P Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - BSO303P

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 100µA  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur PG-DSO-8  
Séries OptiMOS™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 21mOhm @ 8.2A, 10V  
Puissance - Max 2W  
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Emballer Bulk  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1761pF @ 25V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 72.5nC @ 10V  
Fonction FET Logic Level Gate  
Tension drain-source (Vdss) 30V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 8.2A  
Configuration 2 P-Channel (Dual)  
Numéro de produit de base BSO303  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies BSO303P

Attributs du produit BSO303P BSO350N03 BSO330N02KG BSO302SN
Modèle de produit BSO303P BSO350N03 BSO330N02KG BSO302SN
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Puissance - Max 2W 1.4W 1.4W -
Configuration 2 P-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) -
Tension drain-source (Vdss) 30V 30V 20V -
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 8.2A 5A 5.4A -
Fonction FET Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate -
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount -
Séries OptiMOS™ OptiMOS™ OptiMOS™ -
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 72.5nC @ 10V 3.7nC @ 5V 4.9nC @ 4.5V -
Emballer Bulk Tape & Reel (TR) Bulk -
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 100µA 2V @ 6µA 1.2V @ 20µA -
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1761pF @ 25V 480pF @ 15V 730pF @ 10V -
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -
Package composant fournisseur PG-DSO-8 PG-DSO-8 PG-DSO-8 -
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) -
Numéro de produit de base BSO303 BSO350N03 BSO330N02 -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 21mOhm @ 8.2A, 10V 35mOhm @ 6A, 10V 30mOhm @ 6.5A, 4.5V -

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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