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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleBSO303SPH
Infineon Technologies
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

BSO303SPH - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
BSO303SPH
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-BSO303SPH
Modèle ECAD
Description des pièces
7.2A, 30V, 0.021OHM, P-CHANNEL,
Description détaillée
Emballage
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Fiche technique
BSO303SPH.pdf
État RoHS
En stock: 123390

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques BSO303SPH
Infineon Technologies - BSO303SPH Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - BSO303SPH

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 100µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur PG-DSO-8-1  
Séries SIPMOS®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 21mOhm @ 9.1A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 1.56W (Ta)  
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Emballer Bulk  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2330 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 54 nC @ 10 V  
type de FET P-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 30 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 7.2A (Ta)  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies BSO303SPH

Attributs du produit BSO303SPH BSO300N03S BSO4420 BSO303SP
Modèle de produit BSO303SPH BSO300N03S BSO4420 BSO303SP
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2330 pF @ 25 V 600 pF @ 15 V 2213 pF @ 25 V 2330 pF @ 25 V
Tension drain-source (Vdss) 30 V 30 V 30 V 30 V
Package composant fournisseur PG-DSO-8-1 PG-DSO-8 PG-DSO-8 PG-DSO-8-1
Emballer Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 100µA 2V @ 8µA 2V @ 80µA 2V @ 100µA
type de FET P-Channel N-Channel N-Channel P-Channel
Fonction FET - - - -
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 54 nC @ 10 V 4.6 nC @ 5 V 33.7 nC @ 5 V 54 nC @ 10 V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 7.2A (Ta) 5.7A (Ta) 13A (Ta) 7.2A (Ta)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Rds On (Max) @ Id, Vgs 21mOhm @ 9.1A, 10V 30mOhm @ 7.2A, 10V 7.8mOhm @ 13A, 10V 21mOhm @ 9.1A, 10V
Séries SIPMOS® OptiMOS™ OptiMOS™ OptiMOS® -P
Dissipation de puissance (max) 1.56W (Ta) 1.56W (Ta) 2.5W (Ta) 1.56W (Ta)
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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