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AUIRF7416QTR Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

AUIRF7416QTR - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
AUIRF7416QTR
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-AUIRF7416QTR
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET P-CH 30V 10A 8SO
Description détaillée
Emballage
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Fiche technique
AUIRF7416Q.pdf
État RoHS
En stock: 4440

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques AUIRF7416QTR
Infineon Technologies - AUIRF7416QTR Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - AUIRF7416QTR

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 2.04V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 8-SO  
Séries HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 20mOhm @ 5.6A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 2.5W (Ta)  
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1700 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 92 nC @ 10 V  
type de FET P-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 30 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 10A (Ta)  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies AUIRF7416QTR

Attributs du produit AUIRF7416QTR AUIRF7675M2TR AUIRF7737L2TR AUIRF7732S2TR
Modèle de produit AUIRF7416QTR AUIRF7675M2TR AUIRF7737L2TR AUIRF7732S2TR
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V 10V 10V 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.04V @ 250µA 5V @ 100µA 4V @ 150µA 4V @ 50µA
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 10A (Ta) 4.4A (Ta), 18A (Tc) 31A (Ta), 156A (Tc) 14A (Ta)
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) DirectFET™ Isometric M2 DirectFET™ Isometric L6 DirectFET™ Isometric SC
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Fonction FET - - - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 20mOhm @ 5.6A, 10V 56mOhm @ 11A, 10V 1.9mOhm @ 94A, 10V 6.95mOhm @ 33A, 10V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 92 nC @ 10 V 32 nC @ 10 V 134 nC @ 10 V 45 nC @ 10 V
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Package composant fournisseur 8-SO DirectFET™ Isometric M2 DIRECTFET L6 DIRECTFET™ SC
Tension drain-source (Vdss) 30 V 150 V 40 V 40 V
Dissipation de puissance (max) 2.5W (Ta) 2.7W (Ta), 45W (Tc) 3.3W (Ta), 83W (Tc) 2.5W (Ta), 41W (Tc)
type de FET P-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Séries HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1700 pF @ 25 V 1360 pF @ 25 V 5469 pF @ 25 V 1700 pF @ 25 V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V

Fiche technique AUIRF7416QTR PDF

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Feuilles de données
AUIRF7416Q.pdf

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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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