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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - tableauxAUIRF7343QTR
International Rectifier
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

AUIRF7343QTR - International Rectifier

Fabricant Modèle de produit
AUIRF7343QTR
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-AUIRF7343QTR
Modèle ECAD
Description des pièces
AUIRF7343Q - 30V-55V DUAL N AND
Description détaillée
Emballage
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Fiche technique
AUIRF7343QTR.pdf
En stock: 3920

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques AUIRF7343QTR
International Rectifier - AUIRF7343QTR Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à International Rectifier - AUIRF7343QTR

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 8-SOIC  
Séries HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 50mOhm @ 4.7A, 10V  
Puissance - Max 2W  
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Emballer Bulk  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 740pF @ 25V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 36nC @ 10V  
Fonction FET Logic Level Gate  
Tension drain-source (Vdss) 55V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 4.7A, 3.4A  
Configuration N and P-Channel  
Numéro de produit de base AUIRF7343  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de International Rectifier AUIRF7343QTR

Attributs du produit AUIRF7343QTR AUIRF7379QTR AUIRF7316QTR AUIRF7379Q
Modèle de produit AUIRF7343QTR AUIRF7379QTR AUIRF7316QTR AUIRF7379Q
Fabricant International Rectifier Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 36nC @ 10V 25nC @ 10V 34nC @ 10V 25nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 50mOhm @ 4.7A, 10V 45mOhm @ 5.8A, 10V 58mOhm @ 4.9A, 10V 45mOhm @ 5.8A, 10V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Numéro de produit de base AUIRF7343 AUIRF7379 AUIRF7316 AUIRF7379
Tension drain-source (Vdss) 55V 30V 30V 30V
Package composant fournisseur 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC
Emballer Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 4.7A, 3.4A 5.8A, 4.3A - 5.8A, 4.3A
Fonction FET Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 740pF @ 25V 520pF @ 25V 710pF @ 25V 520pF @ 25V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA
Configuration N and P-Channel N and P-Channel 2 P-Channel (Dual) N and P-Channel
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Séries HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Puissance - Max 2W 2.5W 2W 2.5W

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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