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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - tableauxAUIRF7379Q
AUIRF7379Q Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

AUIRF7379Q - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
AUIRF7379Q
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-AUIRF7379Q
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N/P-CH 30V 5.8A 8SOIC
Description détaillée
Emballage
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Fiche technique
AUIRF7379Q.pdf
En stock: 5080

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques AUIRF7379Q
Infineon Technologies - AUIRF7379Q Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - AUIRF7379Q

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 8-SOIC  
Séries HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 45mOhm @ 5.8A, 10V  
Puissance - Max 2.5W  
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 520pF @ 25V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 25nC @ 10V  
Fonction FET Logic Level Gate  
Tension drain-source (Vdss) 30V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 5.8A, 4.3A  
Configuration N and P-Channel  
Numéro de produit de base AUIRF7379  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies AUIRF7379Q

Attributs du produit AUIRF7379Q AUIRF7341QTR AUIRF7342QTR AUIRF7379QTR
Modèle de produit AUIRF7379Q AUIRF7341QTR AUIRF7342QTR AUIRF7379QTR
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Configuration N and P-Channel 2 N-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual) N and P-Channel
Puissance - Max 2.5W 2.4W 2W 2.5W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 45mOhm @ 5.8A, 10V 50mOhm @ 5.1A, 10V 105mOhm @ 3.4A, 10V 45mOhm @ 5.8A, 10V
Package composant fournisseur 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Tension drain-source (Vdss) 30V 55V 55V 30V
Séries HEXFET® Automotive, AEC-Q101, HEXFET® Automotive, AEC-Q101, HEXFET® HEXFET®
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Emballer Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 5.8A, 4.3A 5.1A 3.4A 5.8A, 4.3A
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Numéro de produit de base AUIRF7379 AUIRF7341 AUIRF7342 AUIRF7379
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 520pF @ 25V 780pF @ 25V 690pF @ 25V 520pF @ 25V
Fonction FET Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 25nC @ 10V 44nC @ 10V 38nC @ 10V 25nC @ 10V

Fiche technique AUIRF7379Q PDF

Téléchargez AUIRF7379Q PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour AUIRF7379Q - Infineon Technologies.

Autres documents connexes
Part Number Guide.pdf
PCN Obsolescence / EOL
Multiple Devices 04/Apr/2014.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
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Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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