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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleAUIRF7484QTR
International Rectifier
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.
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AUIRF7484QTR - International Rectifier

Fabricant Modèle de produit
AUIRF7484QTR
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-AUIRF7484QTR
Modèle ECAD
Description des pièces
AUTOMOTIVE N CHANNEL
Emballage
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Fiche technique
AUIRF7484QTR.pdf
Notre certification
En stock: 5300

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Quantité
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Notre certification

Spécifications

Spécifications techniques AUIRF7484QTR
International Rectifier - AUIRF7484QTR Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à International Rectifier - AUIRF7484QTR

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±8V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 8-SO  
Séries HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10mOhm @ 14A, 7V  
Dissipation de puissance (max) 2.5W (Ta)  
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Emballer Bulk  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3520 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 100 nC @ 7 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 7V  
Tension drain-source (Vdss) 40 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 14A (Ta)  

Classifications environnementales et d'exportation

ATTRIBUT LA DESCRIPTION
État RoHS N'est pas applicable
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut de portée REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de International Rectifier AUIRF7484QTR

Attributs du produit AUIRF7484QTR AUIRF7738L2TR AUIRF7416QTR AUIRF7665S2TR
Modèle de produit AUIRF7484QTR AUIRF7738L2TR AUIRF7416QTR AUIRF7665S2TR
Fabricant International Rectifier International Rectifier Infineon Technologies International Rectifier
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 100 nC @ 7 V 194 nC @ 10 V 92 nC @ 10 V 13 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10mOhm @ 14A, 7V 1.6mOhm @ 109A, 10V 20mOhm @ 5.6A, 10V 62mOhm @ 8.9A, 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3520 pF @ 25 V 7471 pF @ 25 V 1700 pF @ 25 V 515 pF @ 25 V
Dissipation de puissance (max) 2.5W (Ta) 3.3W (Ta), 94W (Tc) 2.5W (Ta) 2.4W (Ta), 30W (Tc)
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) DirectFET™ Isometric L6 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) DirectFET™ Isometric SB
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Vgs (Max) ±8V ±20V ±20V ±20V
Emballer Bulk Bulk Tape & Reel (TR) Bulk
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 7V 10V 4.5V, 10V 10V
Tension drain-source (Vdss) 40 V 40 V 30 V 100 V
Fonction FET - - - -
Package composant fournisseur 8-SO DIRECTFET L6 8-SO DIRECTFET SB
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 14A (Ta) 35A (Ta), 130A (Tc) 10A (Ta) 4.1A (Ta), 14.4A (Tc)
type de FET N-Channel N-Channel P-Channel N-Channel
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA 4V @ 250µA 2.04V @ 250µA 5V @ 25µA
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Séries HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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