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AUIRF7316QTR Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

AUIRF7316QTR - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
AUIRF7316QTR
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-AUIRF7316QTR
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET 2P-CH 30V 4.9A 8SOIC
Description détaillée
Emballage
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Fiche technique
AUIRF7316QTR.pdf
État RoHS
En stock: 32662

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques AUIRF7316QTR
Infineon Technologies - AUIRF7316QTR Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - AUIRF7316QTR

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 8-SOIC  
Séries HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 58mOhm @ 4.9A, 10V  
Puissance - Max 2W  
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 710pF @ 25V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 34nC @ 10V  
Fonction FET Logic Level Gate  
Tension drain-source (Vdss) 30V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C -  
Configuration 2 P-Channel (Dual)  
Numéro de produit de base AUIRF7316  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies AUIRF7316QTR

Attributs du produit AUIRF7316QTR AUIRF7103QTR AUIRF7342QTR AUIRF7313QTR
Modèle de produit AUIRF7316QTR AUIRF7103QTR AUIRF7342QTR AUIRF7313QTR
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies International Rectifier
Séries HEXFET® Automotive, AEC-Q101, HEXFET® Automotive, AEC-Q101, HEXFET® HEXFET®
Fonction FET Logic Level Gate - Logic Level Gate Logic Level Gate
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Configuration 2 P-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 710pF @ 25V 255pF @ 25V 690pF @ 25V 755pF @ 25V
Puissance - Max 2W 2.4W 2W 2.4W
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 34nC @ 10V 15nC @ 10V 38nC @ 10V 33nC @ 10V
Numéro de produit de base AUIRF7316 AUIRF7103 AUIRF7342 AUIRF7313
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 58mOhm @ 4.9A, 10V 130mOhm @ 3A, 10V 105mOhm @ 3.4A, 10V 29mOhm @ 6.9A, 10V
Tension drain-source (Vdss) 30V 50V 55V 30V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C - 3A 3.4A 6.9A

Fiche technique AUIRF7316QTR PDF

Téléchargez AUIRF7316QTR PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour AUIRF7316QTR - Infineon Technologies.

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Amérique États-Unis 5
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Nouvelle-Zélande 5
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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