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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleNTP5863NG
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NTP5863NG - onsemi

Fabricant Modèle de produit
NTP5863NG
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-NTP5863NG
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 60V 97A TO220AB
Emballage
TO-220-3
Fiche technique
NTP5863N.pdf
Notre certification
En stock: 4430

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Quantité
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Notre certification

Spécifications

Spécifications techniques NTP5863NG
onsemi - NTP5863NG Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - NTP5863NG

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-220  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.8mOhm @ 20A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 150W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3200 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 55 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 60 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 97A (Tc)  
Numéro de produit de base NTP586  

Classifications environnementales et d'exportation

ATTRIBUT LA DESCRIPTION
État RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut de portée REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi NTP5863NG

Attributs du produit NTP5863NG NTP5860NLG NTP5411NG NTP5412NG
Modèle de produit NTP5863NG NTP5860NLG NTP5411NG NTP5412NG
Fabricant onsemi onsemi onsemi onsemi
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3200 pF @ 25 V 10760 pF @ 25 V 4500 pF @ 25 V 3220 pF @ 25 V
Package composant fournisseur TO-220 TO-220 TO-220 TO-220
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 97A (Tc) 220A (Tc) 80A (Tc) 60A (Tc)
Numéro de produit de base NTP586 NTP586 NTP541 NTP541
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 55 nC @ 10 V 180 nC @ 10 V 130 nC @ 10 V 85 nC @ 0 V
Dissipation de puissance (max) 150W (Tc) 283W (Tc) 166W (Tc) 125W (Tc)
Séries - - - -
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.8mOhm @ 20A, 10V 3mOhm @ 75A, 10V 10mOhm @ 40A, 10V 14mOhm @ 30A, 10V
Fonction FET - - - -
Emballer Tube Tube Tube Tube
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Package / Boîte TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Tension drain-source (Vdss) 60 V 60 V 60 V 60 V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V

Fiche technique NTP5863NG PDF

Téléchargez NTP5863NG PDF DataSheets et Documentation onsemi pour NTP5863NG - onsemi.

Informations environnementales
onsemi RoHS.pdf
PCN Obsolescence / EOL
Multiple Devices 05/Apr/2014.pdf
Feuilles de données
NTP5863N.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Note:
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