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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleNTP5411NG
NTP5411NG Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

NTP5411NG - onsemi

Fabricant Modèle de produit
NTP5411NG
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-NTP5411NG
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 60V 80A TO220AB
Description détaillée
Emballage
TO-220-3
Fiche technique
NTB,NTP5411N.pdf
En stock: 4720

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques NTP5411NG
onsemi - NTP5411NG Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - NTP5411NG

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-220  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10mOhm @ 40A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 166W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 4500 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 130 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 60 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 80A (Tc)  
Numéro de produit de base NTP541  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi NTP5411NG

Attributs du produit NTP5411NG NTP5860NLG NTP52N10G NTP52N10
Modèle de produit NTP5411NG NTP5860NLG NTP52N10G NTP52N10
Fabricant onsemi onsemi onsemi onsemi
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Numéro de produit de base NTP541 NTP586 NTP52N NTP52N
Package / Boîte TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 80A (Tc) 220A (Tc) 60A (Ta) 60A (Ta)
Fonction FET - - - -
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Package composant fournisseur TO-220 TO-220 TO-220 TO-220
Tension drain-source (Vdss) 60 V 60 V 100 V 100 V
Dissipation de puissance (max) 166W (Tc) 283W (Tc) 214W (Tc) 214W (Tc)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 4500 pF @ 25 V 10760 pF @ 25 V 3150 pF @ 25 V 3150 pF @ 25 V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 130 nC @ 10 V 180 nC @ 10 V 135 nC @ 10 V 135 nC @ 10 V
Emballer Tube Tube Tube Tube
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10mOhm @ 40A, 10V 3mOhm @ 75A, 10V 30mOhm @ 26A, 10V 30mOhm @ 26A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Séries - - - -

Fiche technique NTP5411NG PDF

Téléchargez NTP5411NG PDF DataSheets et Documentation onsemi pour NTP5411NG - onsemi.

Informations environnementales
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN Obsolescence / EOL
Multiple Devices 07/Jul/2010.pdf
Feuilles de données
NTB,NTP5411N.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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