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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleNTP5404NRG
NTP5404NRG Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

NTP5404NRG - onsemi

Fabricant Modèle de produit
NTP5404NRG
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-NTP5404NRG
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 40V 24A/167A TO220AB
Description détaillée
Emballage
TO-220-3
Fiche technique
NTB5404N, NTP5404N, NVB5404N.pdf
En stock: 5240

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques NTP5404NRG
onsemi - NTP5404NRG Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - NTP5404NRG

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-220  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.5mOhm @ 40A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 5.4W (Ta), 254W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 7000 pF @ 32 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 125 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 40 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 24A (Ta), 167A (Tc)  
Numéro de produit de base NTP540  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi NTP5404NRG

Attributs du produit NTP5404NRG NTP52N10G NTP52N10 NTP5860NG
Modèle de produit NTP5404NRG NTP52N10G NTP52N10 NTP5860NG
Fabricant onsemi onsemi onsemi onsemi
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Fonction FET - - - -
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 24A (Ta), 167A (Tc) 60A (Ta) 60A (Ta) 220A (Tc)
Tension drain-source (Vdss) 40 V 100 V 100 V 60 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.5mOhm @ 40A, 10V 30mOhm @ 26A, 10V 30mOhm @ 26A, 10V 3mOhm @ 75A, 10V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Séries - - - -
Dissipation de puissance (max) 5.4W (Ta), 254W (Tc) 214W (Tc) 214W (Tc) 283W (Tc)
Emballer Tube Tube Tube Bulk
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 7000 pF @ 32 V 3150 pF @ 25 V 3150 pF @ 25 V 10760 pF @ 25 V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 125 nC @ 10 V 135 nC @ 10 V 135 nC @ 10 V 180 nC @ 10 V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 5V, 10V 10V 10V 10V
Numéro de produit de base NTP540 NTP52N NTP52N -
Package composant fournisseur TO-220 TO-220 TO-220 TO-220
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Package / Boîte TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

Fiche technique NTP5404NRG PDF

Téléchargez NTP5404NRG PDF DataSheets et Documentation onsemi pour NTP5404NRG - onsemi.

Informations environnementales
onsemi RoHS.pdf
Conception / spécification PCN
TO-220 Case Outline Update 18/Sep/2014.pdf
PCN Obsolescence / EOL
Multiple Devices 03/Oct/2014.pdf Reactivation Notice 06/Jan/2012.pdf
Feuilles de données
NTB5404N, NTP5404N, NVB5404N.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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