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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleNTP5412NG
NTP5412NG Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

NTP5412NG - onsemi

Fabricant Modèle de produit
NTP5412NG
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-NTP5412NG
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 60V 60A TO220AB
Description détaillée
Emballage
TO-220-3
Fiche technique
NTB,NTP5412N.pdf
En stock: 4940

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques NTP5412NG
onsemi - NTP5412NG Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - NTP5412NG

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-220  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 14mOhm @ 30A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 125W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3220 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 85 nC @ 0 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 60 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 60A (Tc)  
Numéro de produit de base NTP541  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi NTP5412NG

Attributs du produit NTP5412NG NTP5411NG NTP5864NG NTP5426NG
Modèle de produit NTP5412NG NTP5411NG NTP5864NG NTP5426NG
Fabricant onsemi onsemi onsemi onsemi
Fonction FET - - - -
Numéro de produit de base NTP541 NTP541 NTP586 NTP542
Séries - - - -
Emballer Tube Tube Tube Tube
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3220 pF @ 25 V 4500 pF @ 25 V 1680 pF @ 25 V 5800 pF @ 25 V
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur TO-220 TO-220 TO-220 TO-220
Tension drain-source (Vdss) 60 V 60 V 60 V 60 V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 85 nC @ 0 V 130 nC @ 10 V 31 nC @ 10 V 170 nC @ 10 V
Package / Boîte TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 14mOhm @ 30A, 10V 10mOhm @ 40A, 10V 12.4mOhm @ 20A, 10V 6mOhm @ 60A, 10V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 60A (Tc) 80A (Tc) 63A (Tc) 120A (Tc)
Dissipation de puissance (max) 125W (Tc) 166W (Tc) 107W (Tc) 215W (Tc)

Fiche technique NTP5412NG PDF

Téléchargez NTP5412NG PDF DataSheets et Documentation onsemi pour NTP5412NG - onsemi.

Informations environnementales
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN Obsolescence / EOL
Multiple Devices 07/Jul/2010.pdf
Feuilles de données
NTB,NTP5412N.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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