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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleNTNUS3171PZT5G
NTNUS3171PZT5G Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

NTNUS3171PZT5G - onsemi

Fabricant Modèle de produit
NTNUS3171PZT5G
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-NTNUS3171PZT5G
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET P-CH 20V 150MA SOT1123
Description détaillée
Emballage
SOT-1123
Fiche technique
NTNUS3171PZ.pdf
État RoHS
En stock: 382270

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques NTNUS3171PZT5G
onsemi - NTNUS3171PZT5G Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - NTNUS3171PZT5G

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA  
Vgs (Max) ±8V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur SOT-1123  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.5Ohm @ 100mA, 4.5V  
Dissipation de puissance (max) 125mW (Ta)  
Package / Boîte SOT-1123  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 13 pF @ 15 V  
type de FET P-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 1.2V, 4.5V  
Tension drain-source (Vdss) 20 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 150mA (Ta)  
Numéro de produit de base NTNUS3171  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi NTNUS3171PZT5G

Attributs du produit NTNUS3171PZT5G NTNS3164NZT5G FDFMA3N109 NTNS3A65PZT5G
Modèle de produit NTNUS3171PZT5G NTNS3164NZT5G FDFMA3N109 NTNS3A65PZT5G
Fabricant onsemi onsemi onsemi onsemi
Package composant fournisseur SOT-1123 SOT-883 (XDFN3) (1x0.6) 6-MicroFET (2x2) SOT-883 (XDFN3) (1x0.6)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 1.2V, 4.5V 1.5V, 4.5V 2.5V, 4.5V 1.5V, 4.5V
Fonction FET - - Schottky Diode (Isolated) -
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 13 pF @ 15 V 24 pF @ 10 V 220 pF @ 15 V 44 pF @ 10 V
Tension drain-source (Vdss) 20 V 20 V 30 V 20 V
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA 1V @ 250µA 1.5V @ 250µA 1V @ 250µA
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Séries - - PowerTrench® -
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 150mA (Ta) 361mA (Ta) 2.9A (Tc) 281mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.5Ohm @ 100mA, 4.5V 700mOhm @ 200mA, 4.5V 123mOhm @ 2.9A, 4.5V 1.3Ohm @ 200mA, 4.5V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Numéro de produit de base NTNUS3171 NTNS3164 FDFMA3 NTNS3
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Dissipation de puissance (max) 125mW (Ta) 155mW (Ta) 1.5W (Ta) 155mW (Ta)
type de FET P-Channel N-Channel N-Channel P-Channel
Package / Boîte SOT-1123 3-XFDFN 6-VDFN Exposed Pad 3-XFDFN
Vgs (Max) ±8V ±8V ±12V ±8V

Fiche technique NTNUS3171PZT5G PDF

Téléchargez NTNUS3171PZT5G PDF DataSheets et Documentation onsemi pour NTNUS3171PZT5G - onsemi.

Informations environnementales
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Conception / spécification PCN
Mult Devices Tape Design 06/Mar/2018.pdf
Feuilles de données
NTNUS3171PZ.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
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Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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