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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleSTN3NF06L
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STN3NF06L - STMicroelectronics

Fabricant Modèle de produit
STN3NF06L
Fabricant
STMicroelectronics
Allelco Modèle de produit
32D-STN3NF06L
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 60V 4A SOT223
Emballage
TO-261-4, TO-261AA
Fiche technique
STN3NF06L.pdf
État RoHS
Notre certification
En stock: 77780

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Quantité
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Notre certification

Spécifications

Spécifications techniques STN3NF06L
STMicroelectronics - STN3NF06L Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à STMicroelectronics - STN3NF06L

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant STMicroelectronics  
Vgs (th) (Max) @ Id 2.8V @ 250µA  
Vgs (Max) ±16V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur SOT-223  
Séries STripFET™ II  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 100mOhm @ 1.5A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 3.3W (Tc)  
Package / Boîte TO-261-4, TO-261AA  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 340 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 9 nC @ 5 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 60 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 4A (Tc)  
Numéro de produit de base STN3  

Classifications environnementales et d'exportation

ATTRIBUT LA DESCRIPTION
État RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut de portée REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de STMicroelectronics STN3NF06L

Attributs du produit STN3NF06L STN3P6F6 STN3NF06 STN3N45K3
Modèle de produit STN3NF06L STN3P6F6 STN3NF06 STN3N45K3
Fabricant STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 340 pF @ 25 V 340 pF @ 48 V 315 pF @ 25 V 164 pF @ 50 V
Tension drain-source (Vdss) 60 V 60 V 60 V 450 V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 9 nC @ 5 V 6.4 nC @ 10 V 13 nC @ 10 V 9.5 nC @ 10 V
Fonction FET - - - -
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 5V, 10V 10V 10V 10V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 4A (Tc) 3A (Tj) 4A (Tc) 600mA (Tc)
type de FET N-Channel P-Channel N-Channel N-Channel
Dissipation de puissance (max) 3.3W (Tc) 2.6W (Tc) 3.3W (Tc) 3W (Ta)
Package composant fournisseur SOT-223 SOT-223 SOT-223 SOT-223
Vgs (Max) ±16V ±20V ±20V ±30V
Numéro de produit de base STN3 STN3 STN3 STN3
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Séries STripFET™ II DeepGATE™, STripFET™ VI STripFET™ II SuperMESH3™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 100mOhm @ 1.5A, 10V 160mOhm @ 1.5A, 10V 100mOhm @ 1.5A, 10V 4Ohm @ 600mA, 10V
Package / Boîte TO-261-4, TO-261AA TO-261-4, TO-261AA TO-261-4, TO-261AA TO-261-4, TO-261AA
Vgs (th) (Max) @ Id 2.8V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4.5V @ 50µA
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)

Fiche technique STN3NF06L PDF

Téléchargez STN3NF06L PDF DataSheets et Documentation STMicroelectronics pour STN3NF06L - STMicroelectronics.

Assemblage / origine PCN
Carrier/Cover Tape Supplier 23/Sep/2021.pdf
Feuilles de données
STN3NF06L.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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STN3NF06L

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