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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleSPD04P10PLGBTMA1
SPD04P10PLGBTMA1 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

SPD04P10PLGBTMA1 - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
SPD04P10PLGBTMA1
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-SPD04P10PLGBTMA1
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET P-CH 100V 4.2A TO252-3
Description détaillée
Emballage
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Fiche technique
SPD04P10PLGBTMA1.pdf
État RoHS
En stock: 94810

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques SPD04P10PLGBTMA1
Infineon Technologies - SPD04P10PLGBTMA1 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - SPD04P10PLGBTMA1

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 380µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur PG-TO252-3  
Séries SIPMOS®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 850mOhm @ 3A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 38W (Tc)  
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 372 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 16 nC @ 10 V  
type de FET P-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 100 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 4.2A (Tc)  
Numéro de produit de base SPD04P10  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies SPD04P10PLGBTMA1

Attributs du produit SPD04P10PLGBTMA1 SPD06N80C3ATMA1 SPD04P10PG SPD07N20
Modèle de produit SPD04P10PLGBTMA1 SPD06N80C3ATMA1 SPD04P10PG SPD07N20
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR)
Tension drain-source (Vdss) 100 V 800 V 100 V 200 V
Fonction FET - - - -
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 4.2A (Tc) 6A (Ta) 4A (Tc) 7A (Tc)
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 16 nC @ 10 V 41 nC @ 10 V 12 nC @ 10 V 31.5 nC @ 10 V
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V 10V 10V 10V
Dissipation de puissance (max) 38W (Tc) 83W (Tc) 38W (Tc) 40W (Tc)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 372 pF @ 25 V 785 pF @ 100 V 319 pF @ 25 V 530 pF @ 25 V
Package composant fournisseur PG-TO252-3 PG-TO252-3 PG-TO252-3-11 PG-TO252-3
Numéro de produit de base SPD04P10 SPD06N80 - SPD07N
Séries SIPMOS® CoolMOS™ SIPMOS® SIPMOS®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 850mOhm @ 3A, 10V 900mOhm @ 3.8A, 10V 1Ohm @ 2.8A, 10V 400mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 380µA 3.9V @ 250µA 4V @ 380µA 4V @ 1mA
type de FET P-Channel N-Channel P-Channel N-Channel

Fiche technique SPD04P10PLGBTMA1 PDF

Téléchargez SPD04P10PLGBTMA1 PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour SPD04P10PLGBTMA1 - Infineon Technologies.

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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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